[實用新型]多晶硅副產物四氯化硅處理設備

無效

• 申請號: 201120073413.4
• 申請日: 2011-03-18
• 公開（公告）號: CN202054617U
• 公開（公告）日: 2011-11-30
• 發明（設計）人: 嚴大洲;毋克力;肖榮暉;湯傳斌;謝正和;杜俊平;謝冬暉;汪紹芬;郭富東
• 申請（專利權）人: 中國恩菲工程技術有限公司
• 主分類號: C01B33/12
• 分類號: C01B33/12;C01B7/01
• 代理公司: 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201
• 代理人: 宋合成

1.一種多晶硅副產物四氯化硅處理設備，其特征在于，包括：

反應器，所述反應器內限定有反應腔，所述反應器的上部設有四氯化硅-空氣入口和氫氣入口，所述反應器的下部設有環氫氣進口且所述反應器的底部設有反應器出口；

收集冷卻器，所述收集冷卻器內限定有內腔和套在內腔外面且與內腔隔開的冷卻介質空間，所述收集冷卻器的上部設有與所述內腔連通的冷卻器進料口和與所述冷卻介質空間連通的冷卻介質出口，所述收集冷卻器的下部設有與所述內腔連通的冷卻器出料口和與所述冷卻介質空間連通的冷卻介質進口，其中所述收集冷卻器位于所述反應器下方以便所述冷卻器進料口與所述反應器出口相連；

聚集器，所述聚集器具有聚集器入口和聚集器出口，其中所述聚集器入口與所述冷卻器出料口相連；

分離器，所述分離器具有分離器入口、氣體出口和固體出口，其中所述分離器入口與所述聚集器出口相連；和

脫酸器，所述脫酸器內限定有脫酸腔，所述脫酸器的上部設有尾氣出口和脫酸器出料口，所述脫酸器的下部設有蒸汽入口和脫酸器進料口，其中所述脫酸器進料口與所述分離器的固體出口相連。

2.根據權利要求1所述的多晶硅副產物四氯化硅處理設備，其特征在于，還包括制酸系統，所述制酸系統與所述分離器的氣體出口相連。

3.根據權利要求1所述的多晶硅副產物四氯化硅處理設備，其特征在于，所述脫酸器的尾氣出口與所述分離器入口相連。

4.根據權利要求1所述的多晶硅副產物四氯化硅處理設備，其特征在于，所述分離器為三級旋風分離器。

5.根據權利要求4所述的多晶硅副產物四氯化硅處理設備，其特征在于，所述分離器還包括與最后一級旋風分離器相連的袋式過濾器。

6.根據權利要求1所述的多晶硅副產物四氯化硅處理設備，其特征在于，所述反應器包括：

反應器本體，所述反應腔限定在所述反應器本體內，所述四氯化硅-空氣入口和氫氣入口設在所述反應器本體的上部，所述反應器出口設在所述反應器本體的底部；

嘴套，所述嘴套套設在所述反應器本體的下端以與所述反應器本體限定出向下開口的環形空間；

與所述嘴套相連以向所述環形空間內供給氫氣的環隙氫氣進口管；和

分布器，所述分布器設置在所述反應腔內用于均勻分布從所述四氯化硅-空氣入口和所?述氫氣入口供給到反應腔內的四氯化硅-空氣和氫氣。

7.根據權利要求6所述的多晶硅副產物四氯化硅處理設備，其特征在于，所述反應器本體包括：

嘴體，所述四氯化硅-空氣入口設在所述嘴體側面且所述氫氣入口設在所述嘴體頂部；

嘴身，所述嘴身的上端與所述嘴體的下端相連；和

嘴尖，所述嘴尖的上端與所述嘴身的下端相連，所述嘴尖的下端敞開以形成所述反應器出口。

8.根據權利要求1所述的多晶硅副產物四氯化硅處理設備，其特征在于，所述收集冷卻器包括：

內殼，所述內腔限定在所述內殼內，所述冷卻器進料口設在所述內殼的上部且所述冷卻器出料口設在所述內殼的下部；

外殼，所述外殼套設在所述內殼外面，所述冷卻介質空間限定在所述內殼與外殼之間，所述冷卻介質入口設在所述外殼的下部且所述冷卻介質出口設在所述外殼的上部；和

旋體，所述旋體沿上下方向設置在所述冷卻介質空間內。

9.根據權利要求1所述的多晶硅副產物四氯化硅處理設備，其特征在于，所述聚集器包括：多個聚集管，所述多個聚集管依次相連以限定出以曲線形式延伸的聚集腔，其中所述多個聚集管中的第一個聚集管的自由端用作所述聚集器入口且最后一個聚集管的自由端用作所述聚集器出口。

10.根據權利要求1所述的多晶硅副產物四氯化硅處理設備，其特征在于，所述脫酸器包括：

脫酸器本體，所述脫酸腔限定在所述脫酸器本體內，所述尾氣出口和脫酸器出料口設在所述脫酸器本體的上部，所述蒸汽入口和脫酸器進料口設在所述脫酸器本體的下部；和

加熱管，所述加熱管設置在所述脫酸器本體上且伸入所述脫酸腔內。