[實(shí)用新型]D-SUB連接器改良結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201120067006.2 | 申請日: | 2011-03-15 |
| 公開(公告)號: | CN201975589U | 公開(公告)日: | 2011-09-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 鄭焯耀;孟廣金;曾波 | 申請(專利權(quán))人: | 實(shí)盈電子(東莞)有限公司 |
| 主分類號: | H01R13/40 | 分類號: | H01R13/40;H01R13/46 |
| 代理公司: | 廈門市新華專利商標(biāo)代理有限公司 35203 | 代理人: | 朱凌 |
| 地址: | 523000 廣東省東莞市清溪鎮(zhèn)*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | sub 連接器 改良 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種D-SUB連接器改良結(jié)構(gòu),包括有絕緣座體、金屬屏蔽殼、第一排端子、第二排端子和第三排端子,其中,該金屬屏蔽殼包覆于絕緣座體外部,該絕緣座體內(nèi)開設(shè)有三排貫通絕緣座體前、后端面的端子槽,依次為第一排端子槽、第二排端子槽和第三排端子槽,每排端子槽均由多個間距設(shè)置的緊固槽排列組成,前述三排端子分別位于相應(yīng)的緊固槽內(nèi),其特征在于:針對前述第二排端子槽,于前述絕緣座體后端面向前凹設(shè)有一凹槽,該第二排端子槽的各緊固槽自該凹槽底面向前開設(shè)而成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的D-SUB連接器改良結(jié)構(gòu),其特征在于:所述第一排端子槽的各緊固槽與第二排端子槽的各緊固槽系前后錯位設(shè)置,以及,該第二排端子槽的各緊固槽和第三排端子槽的各緊固槽亦系前后錯位設(shè)置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的D-SUB連接器改良結(jié)構(gòu),其特征在于:所述各端子均包括有橫向設(shè)置的焊接部、豎直設(shè)置的接觸部和連接于該焊接部與接觸部之間的連接部。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的D-SUB連接器改良結(jié)構(gòu),其特征在于:所述接觸部呈U形結(jié)構(gòu),其包括有兩延伸臂,該兩延伸臂均朝向內(nèi)側(cè)凸設(shè)有凸起。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的D-SUB連接器改良結(jié)構(gòu),其特征在于:所述第三排端子中各端子之連接部兩側(cè)凸設(shè)有限位凸部,相應(yīng)地,前述第三排端子槽兩側(cè)進(jìn)一步凹設(shè)有限位槽,該限位凸部卡于相應(yīng)限位槽內(nèi)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的D-SUB連接器改良結(jié)構(gòu),其特征在于:所述金屬屏蔽殼上設(shè)置有彈性扣片,相應(yīng)地,前述絕緣座體上開設(shè)有卡槽,當(dāng)前述金屬屏蔽殼和絕緣座體組裝于一起時,前述彈性扣片卡扣于相應(yīng)卡槽內(nèi)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的D-SUB連接器改良結(jié)構(gòu),其特征在于:所述金屬屏蔽殼兩側(cè)橫向延伸形成有兩用于安裝于電路板上起固定作用的插接腳,該兩插接腳的延伸方向與前述各端子的焊接部之延伸方向保持一致。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于實(shí)盈電子(東莞)有限公司,未經(jīng)實(shí)盈電子(東莞)有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201120067006.2/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 一種Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>復(fù)相熱障涂層材料
- 無鉛[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>納米管及其制備方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一種Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 復(fù)合膜及其制備方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 熒光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一種(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制備方法
- 熒光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>復(fù)合材料的制備方法
- 卡片結(jié)構(gòu)、插座結(jié)構(gòu)及其組合結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)平臺結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)支撐結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)支撐結(jié)構(gòu)
- 單元結(jié)構(gòu)、結(jié)構(gòu)部件和夾層結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)扶梯結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)隔墻結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)連接結(jié)構(gòu)
- 螺紋結(jié)構(gòu)、螺孔結(jié)構(gòu)、機(jī)械結(jié)構(gòu)和光學(xué)結(jié)構(gòu)
- 螺紋結(jié)構(gòu)、螺孔結(jié)構(gòu)、機(jī)械結(jié)構(gòu)和光學(xué)結(jié)構(gòu)





