[實(shí)用新型]SF6氣體電抗器磁屏蔽結(jié)構(gòu)無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201120058711.6 | 申請(qǐng)日: | 2011-03-08 |
| 公開(公告)號(hào): | CN202102866U | 公開(公告)日: | 2012-01-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 黃天順;王國(guó)利;廖永力 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 江蘇盛華電氣有限公司;南方電網(wǎng)科學(xué)研究院有限責(zé)任公司 |
| 主分類號(hào): | H01F27/36 | 分類號(hào): | H01F27/36;H05K9/00 |
| 代理公司: | 北京連和連知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11278 | 代理人: | 李海燕 |
| 地址: | 225200 江蘇省江都*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | sf6 氣體 電抗 屏蔽 結(jié)構(gòu) | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種SF6氣體電抗器磁屏蔽結(jié)構(gòu)。?
背景技術(shù)
氣體電抗器在運(yùn)行過程中的繞組會(huì)產(chǎn)生大的漏磁場(chǎng),漏磁衍射將會(huì)引起電抗器鎧裝殼體發(fā)熱。?
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型為了解決以上問題提供了一種減少漏磁衍射、降低電抗器殼體發(fā)熱、提高設(shè)備利用率的SF6氣體電抗器磁屏蔽結(jié)構(gòu)。?
本實(shí)用新型的技術(shù)方案是:所述的磁屏蔽結(jié)構(gòu)為設(shè)置在電抗器的非導(dǎo)磁殼體內(nèi)的環(huán)形磁屏蔽層,所述的磁屏蔽層設(shè)置在電抗器殼體壁上,磁屏蔽層的上端和下端為交錯(cuò)疊加的扇形導(dǎo)磁材料。?
所述的扇形導(dǎo)磁材料為90度放置的硅鋼片。?
所述的磁屏蔽層為導(dǎo)磁材料制成。?
所述磁屏蔽層采用導(dǎo)磁開槽方式卷繞成25層的筒狀磁屏蔽層。?
本實(shí)用新型采用較好的導(dǎo)磁材料在電抗器的非導(dǎo)磁非金屬鎧裝殼體內(nèi)做成環(huán)形屏蔽結(jié)構(gòu),將繞組產(chǎn)生的漏磁導(dǎo)入磁回路中,減少漏磁對(duì)鎧裝殼體的衍射,減少鎧裝殼體的發(fā)熱,本實(shí)用新型還可適用于油浸式電抗器。?
附圖說明
圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。?
圖中1是電抗器殼體,2是線圈,3是磁屏蔽層,4是硅鋼片。?
具體實(shí)施方式
SF6氣體電抗器磁屏蔽結(jié)構(gòu),所述的磁屏蔽結(jié)構(gòu)為設(shè)置在電抗器的非導(dǎo)磁殼體1內(nèi)的環(huán)形磁屏蔽層3,所述的磁屏蔽層3設(shè)置在電抗器殼體1壁上,采用導(dǎo)磁開槽方式卷繞成25層的筒狀磁屏蔽層3,磁屏蔽層3的上端和下端為交錯(cuò)疊加的扇形導(dǎo)磁材料,所述的扇形導(dǎo)磁材料為90度放置的硅鋼片4,所述的磁屏蔽層3為導(dǎo)磁材料制成。?
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