[實用新型]傳感器元件及紅外線傳感器有效
| 申請號: | 201120051689.2 | 申請日: | 2011-02-28 |
| 公開(公告)號: | CN202204598U | 公開(公告)日: | 2012-04-25 |
| 發明(設計)人: | 仲谷吾郎 | 申請(專利權)人: | 羅姆股份有限公司 |
| 主分類號: | G01J5/12 | 分類號: | G01J5/12;H01L27/16;H01L21/82 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 劉建 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 傳感器 元件 紅外線 | ||
1.一種紅外線傳感器,其特征在于,具備:
半導體基板;
薄膜狀的熱電元件,其設置在所述半導體基板上并由鈦酸鋯酸鉛構成;
覆蓋膜,其覆蓋所述熱電元件,且其最表面構成紅外線的受光面;
腔體,其在所述半導體基板的與所述熱電元件相對的部分,形成從所述半導體基板的表面凹陷的形狀,用于將所述熱電元件與所述半導體基板熱分離。
2.根據權利要求1所述的紅外線傳感器,其特征在于,
所述覆蓋膜包括氧化鋁膜。
3.根據權利要求1所述的紅外線傳感器,其特征在于,
所述覆蓋膜具有從所述半導體基板側起依次層疊氧化鋁膜及氧化硅膜的二層構造。
4.根據權利要求1~3中任一項所述的紅外線傳感器,其特征在于,
還包括:形成在所述半導體基板上的有源元件;
與所述有源元件電連接的配線。
5.根據權利要求1~3中任一項所述的紅外線傳感器,其特征在于,
還包括設置于所述半導體基板上的熱電偶。
6.根據權利要求5所述的紅外線傳感器,其特征在于,
所述熱電偶包括第一熱電偶及第二熱電偶,
所述第一熱電偶由相互空開間隔且平行地延伸的一對第一導線及第二導線構成,
所述第二熱電偶由相互空開間隔且平行地延伸的一對第三導線及第四導線構成,
所述第一導線的一端與所述第三導線的一端連接,所述第二導線的一端與所述第四導線的一端連接,上述連接的連接部構成熱接點。
7.根據權利要求6所述的紅外線傳感器,其特征在于,
在所述半導體基板上,在與所述熱電偶相對的部分形成有用于將所述?熱接點與所述半導體基板熱分離的腔體。
8.根據權利要求7所述的紅外線傳感器,其特征在于,
所述第一熱電偶的所述第一導線及所述第二導線相對于所述第二熱電偶的所述第三導線及所述第四導線被設置為在俯視下呈圍繞所述腔體的中心以180°旋轉對稱。
9.根據權利要求1~3中任一項所述的紅外線傳感器,其特征在于,
所述半導體基板為硅基板,
在所述覆蓋膜上形成有在厚度方向上貫通所述覆蓋膜的貫通孔,
在所述貫通孔的內面上被覆由氮化硅構成的氮化硅膜。
10.根據權利要求1~3中任一項所述的紅外線傳感器,其特征在于,
所述腔體形成為越靠近所述半導體基板的背面越窄的剖面梯形。
11.根據權利要求1~3中任一項所述的紅外線傳感器,其特征在于,
還包括:隔膜,其從所述半導體基板的所述表面側閉塞所述腔體;
下部電極,其形成在所述隔膜上,且從所述熱電元件的背面側與所述熱電元件相接觸;
上部電極,其形成在所述熱電元件上,且從所述熱電元件的表面側與所述熱電元件相接觸。
12.根據權利要求11所述的紅外線傳感器,其特征在于,
所述下部電極包括:與所述熱電元件相接觸的主體部和從所述主體部沿所述半導體基板的所述表面延伸的延伸部。
13.根據權利要求11所述的紅外線傳感器,其特征在于,
所述下部電極具有從所述隔膜側起依次層疊由鈦構成的層及由鉑構成的層的二層構造。
14.根據權利要求11所述的紅外線傳感器,其特征在于,
所述上部電極具有從所述熱電元件側起依次層疊由銥構成的層及由氧化銥構成的層的二層構造。
15.一種傳感器元件,其特征在于,具備:
硅基板;
形成于所述硅基板的晶體管;
設置在所述硅基板上的熱電元件;?
形成在所述硅基板中所述熱電元件的下方的腔體。
16.根據權利要求15所述的傳感器元件,其特征在于,
所述傳感器元件還包括在所述硅基板上設置的熱電偶。
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