[實用新型]低熱阻GBU整流全橋

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201120043004.X
• 申請日: 2011-02-21
• 公開（公告）號: CN201956917U
• 公開（公告）日: 2011-08-31
• 發(fā)明（設計）人: 邱志述
• 申請（專利權）人: 樂山無線電股份有限公司
• 主分類號: H02M7/162
• 分類號: H02M7/162;H01L25/00;H01L23/367
• 代理公司: 成都九鼎天元知識產權代理有限公司 51214
• 代理人: 徐宏;吳彥峰

技術領域

本實用新型涉及一種低熱阻GBU整流全橋。

背景技術

現有的GBU整流全橋的熱阻較高，導致工作中產品的結溫約為120～145℃（小電流產品的功耗相對低，大電流產品的功耗相對高）。

發(fā)明內容

本實用新型的發(fā)明目的在于：針對上述存在的問題，提供一種低熱阻GBU整流全橋，其技術方案是該裝置塑封后環(huán)氧管體散熱面厚度減薄到0.7mm，所述塑封后環(huán)氧管體散熱面厚度結構是整流全橋結構含塑封后環(huán)氧管體散熱面厚度（H2）減去整流全橋結構不含塑封后環(huán)氧管體散熱面厚度（H1）。所述整流全橋結構含塑封后環(huán)氧管體散熱面厚度（H2）是2.2mm,?整流全橋結構不含塑封后環(huán)氧管體散熱面厚度是1.5mm（H1）。該裝置改進了連接條尺寸和排布方向，是由結構組成連接條（DD1）、（DD2）、（DD3）、（DD4）的組成結構改變成結構組成連接條（D1）、（D2）、（D3）、（D4）的組成結構。

1、??調整整流全橋散熱面厚度：

原設計厚度為1.0?~1.2mm，更新設計到0.6~0.8mm；塑封后環(huán)氧管體散熱面厚度減薄到0.7mm即H2-H1。

改進了產品散熱面厚度－最大程度的帶走熱量,使芯片工作溫度減低,可靠性提高。

2、??????????更改內部框架結構，使環(huán)氧樹脂在框架內的流動性更強，避免因減薄散熱面可能導致的散熱面氣孔產生。

改進了框架結構－消除懸臂設計，使產品內部形變更小，避免在塑封過程因框架受熱應力作用變形而導致塑封氣孔等問題；

改進了連接條尺寸和排布方向－提高連接條強度，增加焊接后產品強度，同樣增加產品在塑封時抵抗熱應力的能力。

綜上所述，由于采用了上述技術方案，本實用新型的有益效果是：

采用低熱阻設計，降低產品工作的結溫，芯片的工作結溫降低了，就能夠使產品的穩(wěn)定性提高。由于半導體產品采用摻雜擴散，溫度高導致芯片中的摻雜具有更高的能態(tài)，從而使產品的反向漏電流高，高的漏電流形成更高的反向功耗，導致發(fā)熱加劇，形成惡性循環(huán)而導致器件的損壞。因此，降低產品的工作結溫是提高產品可靠性的有效措施。

附圖說明

圖1是本實用新型低熱阻設計的結構尺寸圖。

圖2是本實用新型采用10A產品進行比較管體溫度和芯片結溫圖。

圖3是本實用新型原結構圖。

圖1是本實用新型改進結構圖。

圖中標記：H1為整流全橋結構不含塑封后環(huán)氧管體散熱面厚度,?H2為整流全橋結構含塑封后環(huán)氧管體散熱面厚度;DD1、DD2、DD3、DD4均為本實用新型原結構組成連接條，?D1、D2、D3、D4為本實用新型改進結構組成連接條。

具體實施方式

下面結合附圖，對本實用新型作詳細的說明。

為了使本實用新型的目的、技術方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結合附圖及實施例，對本實用新型進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本實用新型，并不用于限定本實用新型。

如圖2所示，數據表明，在管體溫度和芯片結溫上采用低熱阻設計的產品比正常熱阻的分別低15℃和20℃左右。

如圖3、4，改進了連接條尺寸和排布方向－提高連接條強度，增加焊接后產品強度，同樣增加產品在塑封時抵抗熱應力的能力。

以上所述僅為本實用新型的較佳實施例而已，并不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內所作的任何修改、等同替換和改進等，均應包含在本實用新型的保護范圍之內。