[實用新型]一種左右旋圓極化可重構天線無效
| 申請號: | 201120020320.5 | 申請日: | 2011-01-21 |
| 公開(公告)號: | CN201966318U | 公開(公告)日: | 2011-09-07 |
| 發明(設計)人: | 羅國清;胡志方;張曉紅;孫玲玲 | 申請(專利權)人: | 杭州電子科技大學 |
| 主分類號: | H01Q1/38 | 分類號: | H01Q1/38;H01Q13/10 |
| 代理公司: | 杭州求是專利事務所有限公司 33200 | 代理人: | 杜軍 |
| 地址: | 310018 浙*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 右旋 極化 可重構 天線 | ||
1.一種左右旋圓極化可重構天線,其特征在于該天線包括:
介質基片、介質基片上表面涂覆的上金屬層和介質基片下表面涂覆的下金屬層;
上金屬層開有用于隔斷直流回路的隔直流縫隙,所述的隔直流縫隙為貫穿上金屬層的環型縫隙;
直流電源的兩端分別連接隔直流縫隙兩邊的上金屬層;
下金屬層開有用于將電磁波從腔體耦合到空間或從空間耦合進入腔體的輻射縫隙,所述的輻射縫隙為貫穿下金屬層的環型縫隙;
跨輻射縫隙兩邊的下金屬層連接有兩個反相偏置的二極管;
多個貫穿隔直流縫隙外圍的上金屬層、介質基片和輻射縫隙外圍的下金屬層的電互連單元順序排列構成的電互連陣列;構成電互連陣列的任意兩個相鄰電互連單元之間的占空比大于1;
由上金屬層、下金屬層和電互連陣列包圍的區域構成腔體,饋電單元伸入該腔體內;?
貫穿隔直流縫隙包圍的上金屬層、介質基片和輻射縫隙包圍的下金屬層的導電元。
2.如權利要求1所述的一種左右旋圓極化可重構天線,其特征在于所述的隔直流縫隙位于輻射縫隙的投影區域內。
3.如權利要求1所述的一種左右旋圓極化可重構天線,其特征在于所述的輻射縫隙具有平面對稱性。
4.如權利要求3所述的一種左右旋圓極化可重構天線,其特征在于所述的饋電單元和電互連陣列的輪廓線均以輻射縫隙的對稱面對稱。
5.如權利要求1所述的一種左右旋圓極化可重構天線,其特征在于所述的介質基片為單層介質基片。
6.如權利要求5所述的一種左右旋圓極化可重構天線,其特征在于所述的饋電單元為帶地共面波導傳輸線。
7.如權利要求1所述的一種左右旋圓極化可重構天線,其特征在于所述的電互連單元為金屬化通孔或金屬柱。
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