[實用新型]一種方波逆變器的全橋驅動電路

有效

• 申請號: 201120013049.2
• 申請日: 2011-01-17
• 公開（公告）號: CN201975986U
• 公開（公告）日: 2011-09-14
• 發明（設計）人: 汪軍;鄭魏;周治國
• 申請（專利權）人: 佛山市順德區瑞德電子實業有限公司
• 主分類號: H02M1/088
• 分類號: H02M1/088;H02M7/5387
• 代理公司: 廣州廣信知識產權代理有限公司 44261
• 代理人: 張文雄

技術領域

本實用新型涉及一種方波逆變器的全橋驅動電路，屬于開關電源驅動技術領域。

背景技術

目前，功率器件MOS管以其開關速度快、驅動功率小和功耗低等優點在開關電源電路得到廣泛的應用。在實際應用中，主要用到增強型的NMOS管和PMOS管，這兩種MOS管具有不同導通特性，NMOS管適合用于源極接地的場合(即低端驅動)，PMOS管適合用于源極接VCC的場合(即高端驅動)。在開關電源全橋拓撲結構中，必須有兩個MOS管處于高端驅動的狀態，如果選用PMOS管可以很方便地實現高端驅動，但由于PMOS管導通電阻大，價格昂貴，替換種類少等原因，在高端驅動中，通常還是使用NMOS管。因此，在全橋拓撲結構中，處于高端驅動的NMOS管就需要專門的驅動電路來驅動。現有技術中，通常有兩種驅動方式，一個是采用專門的升壓自舉電路來實現；一個是采用集成了電荷泵的驅動芯片來實現。這兩種方法的成本比較高，并不適合對于成本要求較低的應用場合，也不適合大批量推廣使用。

實用新型內容

本實用新型的目的，是為了解決上述問題，提供了一種方波逆變器的全橋驅動電路，它具有電路簡單可靠、容易實現、成本較低、并具有MOS保護功能的特點。

本實用新型的目的可以通過如下措施達到：

一種方波逆變器的全橋驅動電路，其結構特點是：包括三極管Q5、MOS管Q1和Q4、驅動信號端口PWM1及外圍電阻R1～R6、二極管D1～D3和電容EC1；驅動信號端口PWM1一路依次通過電阻R1、三極管Q5和電阻R4連接MOS管Q1的柵極，驅動信號端口PWM1另一路通過電阻R6與二極管D2的并聯組連接MOS管Q4的柵極；MOS管Q1的源極與MOS管Q4的漏極連接；在MOS管Q1的柵極與源極之間跨接有電阻R5與二極管D3的并聯組，MOS管Q1的源極通過電容EC1、電阻R3連接三極管Q5的集電極，電容EC1與電阻R3的連接處通過二極管D1連接電源VCC；電阻R2跨接在三極管Q5的基極與發射極之間；由電阻R1～R4、二極管D1、三極管Q5和電容EC1組成自舉升壓電路。

本實用新型的目的還可以通過如下措施達到：

本實用新型的一種實施方式是：所述的三極管Q5可以由NPN型三極管構成。

本實用新型的一種實施方式是：所述的MOS管Q1和Q4可以由N型MOS管構成。

本實用新型的一種實施方式是：所述二極管D1可以為超快恢復整流二極管；所述二極管D2、D3可以為快恢復整流二極管。均可以采用常規技術的超快恢復整流二極管或快恢復整流二極管

本實用新型的有益效果是：

與現有技術相比，本實用新型具有如下優點：一方面由電阻R1～R4、二極管D1、三極管Q5、電容EC1組成的自舉升壓電路可以實現對全橋處于高端位置的MOS管Q1實行有效可靠的驅動；另一方面通過二極管D2～D3、電阻R5～R6的作用，可以加快MOS管的關斷，減小開關損耗，保護MOS管避免同一橋臂直通。本實用新型還具有電路簡單可靠、容易實現、成本較低、并具有MOS保護功能的優點。

附圖說明

圖1是本實用新型具體實施例的電路原理圖。

具體實施方式

以下結合附圖及實施例對本實用新型作進一步的詳細描述：

具體實施例1：

參照圖1，本實施例包括三極管Q5、MOS管Q1和Q4、驅動信號端口PWM1及外圍電阻R1～R6、二極管D1～D3和電容EC1；驅動信號端口PWM1一路依次通過電阻R1、三極管Q5和電阻R4連接MOS管Q1的柵極，驅動信號端口PWM1另一路通過電阻R6與二及管D2的并聯組連接MOS管Q4的柵極；MOS管Q1的源極與MOS管Q4的漏極連接；在MOS管Q1的柵極與源極之間跨接有電阻R5與二極管D3的并聯組，MOS管Q1的源極通過電容EC1、電阻R3連接三極管Q5的集電極，電容EC1與電阻R3的連接處通過二極管D1連接電源VCC；電阻R2跨接在三極管Q5的基極與發射極之間；由電阻R1～R4、二極管D1、三極管Q5和電容EC1組成自舉升壓電路。

本實施例中，所述的三極管Q5的型號為NPN型三極管。所述的MOS管Q1和MOS管Q1Q4均為N型MOS管。所述二極管D1為超快恢復整流二極管；所述二極管D2、D3為快恢復整流二極管。

本實施例的工作原理：