[實用新型]低壓鋁箔腐蝕用的新結構石墨電極板有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201120006495.0 | 申請日: | 2011-01-11 |
| 公開(公告)號: | CN202030852U | 公開(公告)日: | 2011-11-09 |
| 發(fā)明(設計)人: | 譚惠忠;成頑強 | 申請(專利權)人: | 肇慶華鋒電子鋁箔股份有限公司 |
| 主分類號: | C25F7/00 | 分類號: | C25F7/00;C25F3/04;H01G13/00;H01G9/055 |
| 代理公司: | 廣州市南鋒專利事務所有限公司 44228 | 代理人: | 陳松濤 |
| 地址: | 526060 廣*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 低壓 鋁箔 腐蝕 結構 石墨 極板 | ||
技術領域
本實用新型涉及一種鋁電解電容器,具體涉及一種低壓鋁箔腐蝕用電解電容器中的石墨電極板。
背景技術
鋁電解電容器低壓鋁箔腐蝕是高純度(≥99.98%)鋁光箔在強酸(一般以鹽酸為主體)腐蝕液體、在石墨電極板形成的電場作用下發(fā)生電化學反應,使鋁箔兩個表面形成“海綿體”的微觀形貌,得到表面積最大化的效果。表面積最大化的效果用比容(單位:uF/cm2)來表示,比容越大效果越好。目前制造低壓鋁箔腐蝕用的石墨電極板都是矩形結構,組成如圖3所示的“U”形。它具有結構簡單、安裝方便、實用耐用等特點,但明顯存在上部、中部和下部的電流密度的差別,會導致腐蝕失重較大而腐蝕比容不高的現(xiàn)象。在傳統(tǒng)石墨電極板結構的電腐蝕過程中,由于作為電極的石墨電阻率遠大于金屬,從而引起腐蝕電流密度在電極板上的分布隨腐蝕液體的深度呈現(xiàn)遞減的趨勢,造成液面部分(即上部)與電極板底部部分(即下部)的電流密度差別較大,會影響腐蝕鋁箔的比容和失重。
在實用新型專利ZL01259960.3中公開了一種用于制造腐蝕鋁箔的新型石墨極板,它是將圖1所示的石墨邊電極板的底部再用石墨連接起來,使得鋁箔聯(lián)動腐蝕時都處于電場作用下,避免純化學腐蝕對比容的影響。但這種方法對電流密度上中下均勻性的改善是“強弩之末”,作用甚微。
在實用新型專利ZL00223665.6中公開了一種用于電容器鋁箔腐蝕的組合石墨電極板,其通過電極層石墨、輔助石墨電極板、絕緣間隔層和石墨連接件組合而成,能夠有效地將上中下的電流密度均勻起來。但其存在組合復雜、安裝笨重、電耗增加的問題,尤其是在腐蝕液體中的石墨連接件由于電流集中而極易產(chǎn)生石墨顆粒脫離,造成接觸電阻增大、電耗不斷上升、腐蝕液體降溫困難,使用壽命受到限制。
發(fā)明內容
為了克服上述之不足,本實用新型的目的在于提供一種不僅能使石墨電極板達到上中下腐蝕電流密度更均勻,而且還簡化了結構,并具有節(jié)能降耗的低壓鋁箔腐蝕用的新結構石墨電極板。
為解決上述技術問題,本實用新型所采用的技術方案是:低壓鋁箔腐蝕用的新結構石墨電極板,包括有左石墨電極、右石墨電極和中石墨電極,所述中石墨電極與左右石墨電極之間的間距從下到上由小變大。
所述中石墨電極為梯形結構。其梯度的選取與電極板的板間距離、石墨電導率、腐蝕液體的電導率、被腐蝕鋁箔的表面狀態(tài)有關。
所述中石墨電極的兩側面為臺階形結構。
所述左石墨電極和右石墨電極中與中石墨電極較近的側面為臺階形結構。
所述左石墨電極和右石墨電極為梯形結構。
所述左石墨電極、右石墨電極和中石墨電極的提供的電源為低壓交流電。
本實用新型的有益效果在于:由于低壓鋁箔腐蝕用的新結構石墨電極板,由傳統(tǒng)的矩形結構加工成梯形或臺階形結構,即加大電極板上部的板間距、縮小電極板下部的板間距,使得電極板的上部、中部和下部的電流密度趨于相同的水平,從而在低壓鋁箔電腐蝕時,具有腐蝕失重少、獲得比容高,并且節(jié)約電耗的優(yōu)點。本實用新型比較其它方法還具有加工和安裝簡便的特點。
附圖說明
下面結合附圖和具體實施方式對本實用新型作進一步詳細說明:
圖1為本實用新型的實施例1的結構示意圖;
圖2為本實用新型的實施例2的結構示意圖;
圖3為傳統(tǒng)的低壓鋁箔腐蝕用的石墨電極板的結構示意圖。
圖中:1、左石墨電極;?2、中石墨電極;??3、鋁箔;?4、右石墨電極。
具體實施方式
實施例1:如圖1所示,低壓鋁箔腐蝕用的新結構石墨電極板,包括有左石墨電極1、右石墨電極4和中石墨電極2,所述左石墨電極1、右石墨電極4和中石墨電極2分別為梯形結構,從而使中石墨電極2與左右石墨電極之間的間距從下到上由小變大。
實施例2:如圖2所示,低壓鋁箔腐蝕用的新結構石墨電極板,包括有左石墨電極1、右石墨電極4和中石墨電極2,所述中石墨電極2的兩側面為臺階形結構,所述左石墨電極1和右石墨電極4中與中石墨電極2較近的側面為臺階形結構,從而使中石墨電極2與左右石墨電極之間的間距從下到上由小變大。
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