[實用新型]TFT陣列基板有效
| 申請號： | 201120001110.1 | 申請日： | 2011-01-04 |
| 公開（公告）號： | CN201909924U | 公開（公告）日： | 2011-07-27 |
| 發明（設計）人： | 徐永先;冷長林 | 申請（專利權）人： | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號： | G02F1/1362 | 分類號： | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人： | 張麗榮 |
| 地址： | 100015 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | tft 陣列 | ||
1.一種TFT陣列基板，包括柵極掃描線、數據掃描線，所述柵極掃描線和數據掃描線交叉界定出像素單元，并且每個像素單元中包括像素電極和像素薄膜晶體管，所述像素薄膜晶體管的柵極與柵極掃描線相連、源極與數據掃描線相連、漏極與像素電極相連；其特征在于：
每行像素單元還包括至少一組電壓存儲電路，每組電壓存儲電路包括預存儲電容和第一開關薄膜晶體管；所述第一開關薄膜晶體管的柵極、源極與上一行像素單元對應柵極掃描線相連、漏極與所述預存儲電容的第一電極相連；
所述每個像素單元還包括第二開關薄膜晶體管，所述第二開關薄膜晶體管的柵極與其所在像素單元對應的柵極掃描線相連、源極與同一行的所述預存儲電容第一電極相連、漏極與其所在像素單元的像素電極相連。
2.根據權利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述第二開關薄膜晶體管的漏極通過所述像素薄膜晶體管的漏極與其所在像素單元的像素電極相連；或者所述第二開關薄膜晶體管的漏極通過接觸孔與其所在像素單元的像素電極相連。
3.根據權利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于：
所述每行像素單元中至少兩個像素單元對應一組所述電壓存儲電路，并且所述至少兩個像素單元中的第二開關薄膜晶體管的源極與對應電壓存儲電路中的預存儲電容第一電極相連；或者
所述每行像素單元中每個像素單元一組所述電壓存儲電路，并且所述每個像素單元中的第二開關薄膜晶體管的源極與其所在像素單元中電壓存儲電路的預存儲電容第一電極相連。
4.根據權利要求1、2或3所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述第一開關薄膜晶體管的柵極、以及所述第二開關薄膜晶體管的柵極與所述柵極掃描線在同一層上形成。
5.根據權利要求1、2或3所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述第一開關薄膜晶體管的源極和漏極、以及所述第二開關薄膜晶體管的源極和漏極與所述數據掃描線在同一層上形成；并且所述第一開關薄膜晶體管的源極通過過孔與上一行像素單元對應柵極掃描線相連。
6.根據權利要求1、2或3所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述預存儲電容的第一電極與所述第一開關薄膜晶體管的漏極在同一層上形成；所述預存儲電容的第二電極與像素電路的公共電極在同一層上形成，并且所述預存儲電容的第二電極與像素電路的公共電極相連。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于京東方科技集團股份有限公司，未經京東方科技集團股份有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201120001110.1/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
