[發(fā)明專利]制造半導(dǎo)體器件封裝件的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110463335.3
• 申請日: 2011-12-22
• 公開（公告）號: CN102593046A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: P·A·麥康內(nèi)李;A·V·高達(dá)
• 申請（專利權(quán)）人: 通用電氣公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/522
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 張金金;朱海煜

1.一種制造半導(dǎo)體器件封裝件的方法，其包括：

提供疊層，其包括設(shè)置在第一金屬層上的介電膜，所述疊層具有介電膜外表面和第一金屬層外表面；

根據(jù)預(yù)定圖案形成多個(gè)延伸通過所述疊層的通孔；

將一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體器件附連到所述介電膜外表面使得所述半導(dǎo)體器件在附連后接觸一個(gè)或多個(gè)通孔；

在所述第一金屬層外表面和所述多個(gè)通孔的內(nèi)表面上設(shè)置導(dǎo)電層來形成互連層，其包括所述第一金屬層和所述導(dǎo)電層；以及

根據(jù)預(yù)定電路配置圖案化所述互連層來形成圖案化的互連層，其中所述圖案化的互連層的一部分延伸通過一個(gè)或多個(gè)通孔來形成與所述半導(dǎo)體器件的電接觸。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述圖案化的互連層包括頂部互連區(qū)和通孔互連區(qū)，并且其中所述頂部互連區(qū)具有大于所述通孔互連區(qū)的厚度的厚度。

3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中所述通孔互連區(qū)具有從大約5微米至大約125微米范圍中的厚度。

4.如權(quán)利要求2所述的方法，其中所述頂部互連區(qū)具有從大約25微米至大約200微米范圍中的厚度。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述疊層是無框架的。

6.一種制造半導(dǎo)體器件封裝件的方法，其包括：

提供疊層，其包括介于第一金屬層和第二金屬層之間的介電膜，所述疊層具有第一金屬層外表面和第二金屬層外表面；

根據(jù)預(yù)定圖案圖案化所述第二金屬層來形成圖案化的第二金屬層；

根據(jù)預(yù)定圖案形成多個(gè)延伸通過所述疊層的通孔；

將一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體器件附連到所述圖案化的第二金屬層的一部分的所述第二金屬層外表面；

在所述第一金屬層外表面和一個(gè)或多個(gè)通孔的內(nèi)表面上設(shè)置導(dǎo)電層來形成互連層，其包括所述第一金屬層和所述導(dǎo)電層；以及

根據(jù)預(yù)定電路配置圖案化所述互連層來形成圖案化的互連層，其中所述圖案化的互連層的一部分延伸通過一個(gè)或多個(gè)通孔來形成與所述半導(dǎo)體器件的電接觸。

7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中所述圖案化的第二金屬層進(jìn)一步包括與一個(gè)或多個(gè)通孔對齊的一個(gè)或多個(gè)饋通結(jié)構(gòu)，并且所述圖案化的互連層的一部分延伸通過所述一個(gè)或多個(gè)通孔來形成與所述一個(gè)或多個(gè)饋通結(jié)構(gòu)的電接觸。

8.如權(quán)利要求6所述的方法，其進(jìn)一步包括在形成所述多個(gè)通孔之前根據(jù)通孔預(yù)定圖案圖案化所述第一金屬層。

9.如權(quán)利要求6所述的方法，其中所述圖案化的第二金屬層進(jìn)一步包括多個(gè)圖案化區(qū)域，其中至少兩個(gè)圖案化區(qū)域具有互不相同的厚度。

10.如權(quán)利要求6所述的方法，其進(jìn)一步包括將多個(gè)半導(dǎo)體器件附連到所述圖案化的第二金屬層，其中至少兩個(gè)半導(dǎo)體器件具有互不相同的厚度。

11.一種半導(dǎo)體器件封裝件，其包括：

疊層，其包括設(shè)置在介電膜上的第一金屬層；

根據(jù)預(yù)定圖案延伸通過所述疊層的多個(gè)通孔；

一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體器件，其附連到所述介電膜使得所述半導(dǎo)體器件接觸一個(gè)或多個(gè)通孔；以及

設(shè)置在所述介電膜上的圖案化的互連層，所述圖案化的互連層包括導(dǎo)電層和所述第一金屬層的一個(gè)或多個(gè)圖案化區(qū)域，其中所述圖案化的互連層的一部分延伸通過一個(gè)或多個(gè)通孔來形成與所述半導(dǎo)體器件的電接觸，并且

所述圖案化的互連層包括頂部互連區(qū)和通孔互連區(qū)，其中所述頂部互連區(qū)具有大于所述通孔互連區(qū)的厚度的厚度。