[發(fā)明專利]具改進(jìn)的穩(wěn)定性的磁性元件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110463134.3
• 申請日: 2011-11-30
• 公開（公告）號: CN102592609A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 宋電;M·W·科溫頓;Q·何;D·V·季米特洛夫;田偉;丁元俊;S·B·甘歌帕德亞
• 申請（專利權(quán)）人: 希捷科技有限公司
• 主分類號: G11B5/245
• 分類號: G11B5/245;G11B5/187
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 張欣

1.一種裝置，包括：

磁性響應(yīng)堆疊，具有第一展布范圍并包括位于第一和第二鐵磁自由層之間的間隔層；以及

至少一個(gè)反鐵磁(AFM)片，在第一自由層與間隔層相反的表面上與第一自由層相耦接，該AFM片具有小于第一展布范圍的第二展布范圍。

2.權(quán)利要求1的裝置，進(jìn)一步包括第一和第二電極層，其分別與磁性響應(yīng)堆疊的相對向的面相耦接。

3.權(quán)利要求1的裝置，進(jìn)一步包括第二AFM片，在第二自由層與間隔層相反的表面上與第二自由層相耦接。

4.權(quán)利要求1的裝置，進(jìn)一步包括至少一個(gè)磁性屏蔽，其與所述堆疊的選中側(cè)面相耦接。

5.權(quán)利要求4的裝置，其中所述至少一個(gè)磁性屏蔽具有降低厚度的區(qū)域，其容納所述AFM片的一部分。

6.權(quán)利要求4的裝置，其中絕緣層布置在所述AFM片和所述磁性屏蔽之間。

7.權(quán)利要求1的裝置，其中所述AFM片以離鄰近所述堆疊的第一端的氣墊面的偏移距離接觸第一自由層。

8.權(quán)利要求2的裝置，其中所述AFM片和第一電極層共面且均在不同位置與第一鐵磁自由層耦接。

9.權(quán)利要求1的裝置，其中第一和第二自由層均是多層結(jié)構(gòu)。

10.權(quán)利要求1的裝置，其中第一金屬插入層位于Co_xFe_1-x層和Ni_xFe_1-x層之間，以及第二金屬插入層位于Ni_xFe_1-x層和(Co_xFe_1-x)_yB_1-y層之間。

11.權(quán)利要求11的裝置，其中合成反鐵磁位于每個(gè)自由層和AFM片之間。

12.權(quán)利要求11裝置，特征為數(shù)據(jù)傳感頭中的讀取傳感器。

13.一種裝置，包括：

磁性響應(yīng)堆疊，具有第一展布范圍并包括位于第一和第二鐵磁自由多層結(jié)構(gòu)之間的間隔層，多層結(jié)構(gòu)均包括與所述間隔層耦接的Co_xFe_1-x、與AFM片耦接的(Co_xFe_1-x)_yB_1-y、以及布置在Co_xFe_1-x和(Co_xFe_1-x)_yB_1-y層之間的Ni_xFe_1-x層；以及

至少一個(gè)反鐵磁(AFM)片，在第一自由層與間隔層相反的表面上與第一自由層耦接，所述AFM片具有小于第一展布范圍的第二展布范圍。

14.權(quán)利要求13的裝置，其中多層結(jié)構(gòu)中的至少一個(gè)是金屬插入層，其稀釋自由層的磁矩。

15.權(quán)利要求13的裝置，特征為非易失性固態(tài)存儲單元。

16.一種磁性元件，包括：

非磁性隧道阻擋層，布置在具有第一展布范圍的第一鐵磁自由層和第二鐵磁自由層之間；以及

至少一個(gè)反鐵磁(AFM)片，在第一或第二自由層與間隔層相反的表面上與該第一或第二自由層連接，并與第一自由鐵磁層的前表面間隔開偏移距離。

17.權(quán)利要求16的磁性元件，進(jìn)一步包括磁體，其位于鄰近自由層并面向所述自由層的與氣墊面相反的側(cè)面。

18.權(quán)利要求16的磁性元件，其中第一和第二絕緣材料與所述AFM片和第二自由鐵磁層相耦接。

19.權(quán)利要求16的磁性元件，其中所述AFM片具有小于第一展布范圍的第二展布范圍。

20.權(quán)利要求16的磁性元件，其中所述自由鐵磁層能夠作為非易失性固態(tài)存儲單元存儲磁定向。