[發(fā)明專利]金屬屏蔽板的制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110463076.4 | 申請日: | 2010-03-12 |
| 公開(公告)號: | CN102543962A | 公開(公告)日: | 2012-07-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 增田正親;小田和范;富田幸治;宮野和幸 | 申請(專利權(quán))人: | 大日本印刷株式會社 |
| 主分類號: | H01L23/552 | 分類號: | H01L23/552 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 何欣亭;王忠忠 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 金屬 屏蔽 制造 方法 | ||
本申請是下述申請的分案申請:
申請?zhí)枺?01010157128.0
申請日:2010年3月12日
關(guān)連申請的參照
本專利申請享有于2009年4月28日提出的日本申請即特愿2009-109369及于2009年6月5日提出的日本申請即特愿2009-136462的利益。該在先申請中的全部公開內(nèi)容通過援引成為本說明書的一部分。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及具備保護(hù)半導(dǎo)體芯片不受磁擾的金屬屏蔽板的半導(dǎo)體裝置,尤其涉及可以防止半導(dǎo)體芯片因金屬屏蔽板的切斷毛邊而受傷的情形的半導(dǎo)體裝置。此外本發(fā)明涉及用于包含半導(dǎo)體芯片和對半導(dǎo)體芯片進(jìn)行密封的密封樹脂的半導(dǎo)體裝置且保護(hù)半導(dǎo)體芯片不受外部磁擾的半導(dǎo)體裝置用金屬屏蔽板的制造方法。
背景技術(shù)
具有MRAM等的半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體裝置,在其內(nèi)部設(shè)有金屬屏蔽板。這種金屬屏蔽板為了保護(hù)半導(dǎo)體裝置的半導(dǎo)體芯片不受半導(dǎo)體裝置外部的磁擾(磁場),而用具有磁屏蔽效果的金屬原材料制作。
在制作這種金屬屏蔽板時,也考慮過通過沖壓加工金屬原材料來制作金屬屏蔽板。但是,這時會有如下情形,即在完成的金屬屏蔽板上發(fā)生沖切毛邊和變形,該毛邊接觸到半導(dǎo)體芯片的電路面,會損傷半導(dǎo)體芯片的電路。因此,通過沖壓加工來制作金屬屏蔽板是有問題的。
因此,一般用蝕刻加工法制作金屬屏蔽板。作為這種蝕刻加工法之一,考慮首先準(zhǔn)備在一面上粘貼帶狀原材料的金屬原材料,接著從與該一面相反的面?zhèn)葘υ摻饘僭牧蠈嵤┪g刻加工,從而制作各個金屬屏蔽板的方法(單面蝕刻)。但是,在采用該方法時,蝕刻加工時間會成為蝕刻金屬原材料兩面而制作金屬屏蔽板時的大致2倍,因此存在加工時間長的問題。此外,蝕刻形狀成為往一側(cè)傾斜的形狀,因此還存在降低金屬屏蔽板端部的屏蔽效果的問題。
專利文獻(xiàn)1:日本特開平9-130082號公報
與之相對,嘗試了制作包含多個金屬屏蔽板的金屬屏蔽用片,并通過用切刀(blade)切斷連接各金屬屏蔽板的連接部,來分離成各個金屬屏蔽板。但是,在半導(dǎo)體裝置的制造工序中,在金屬屏蔽板的連接部產(chǎn)生切斷毛邊,當(dāng)該切斷毛邊與半導(dǎo)體芯片或襯底接觸時,有可能會發(fā)生傷痕等。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明考慮了上述方面構(gòu)思而成,提供可以防止半導(dǎo)體芯片因金屬屏蔽板的切斷毛邊而受到損傷的情形的半導(dǎo)體裝置。
本發(fā)明為一種半導(dǎo)體裝置,具備具有電路面的半導(dǎo)體芯片和在半導(dǎo)體芯片的至少電路面設(shè)置的金屬屏蔽板,其特征在于,金屬屏蔽板具有包含一個面和另一面的屏蔽板主體和從屏蔽板主體向側(cè)方突出的毛邊,金屬屏蔽板配置成使另一面朝向半導(dǎo)體芯片的電路面一側(cè),毛邊位于屏蔽板主體的另一面?zhèn)龋诿叺那岸搜嘏c另一面正交的方向形成有切斷毛邊,切斷毛邊朝著與半導(dǎo)體芯片相反的一側(cè)而突出。
本發(fā)明半導(dǎo)體裝置的特征在于,金屬屏蔽板由包含F(xiàn)e-Ni合金的材料構(gòu)成。
本發(fā)明為一種半導(dǎo)體裝置,具備具有電路面的半導(dǎo)體芯片和在半導(dǎo)體芯片的至少電路面設(shè)置的金屬屏蔽板,其特征在于,金屬屏蔽板具有包含一個面和另一面的屏蔽板主體和從屏蔽板主體向側(cè)方突出的毛邊,金屬屏蔽板配置成使一個面朝向半導(dǎo)體芯片的電路面一側(cè),毛邊位于屏蔽板主體的另一面?zhèn)龋诿叺那岸搜嘏c另一面正交的方向形成有切斷毛邊。
本發(fā)明半導(dǎo)體裝置的特征在于,金屬屏蔽板由包含F(xiàn)e-Ni合金的材料構(gòu)成。
本發(fā)明為一種半導(dǎo)體裝置,其特征在于包括:襯底;設(shè)置在襯底上的第一金屬屏蔽板;設(shè)置在第一金屬屏蔽板上并具有電路面的半導(dǎo)體芯片;以及在半導(dǎo)體芯片的電路面設(shè)置的第二金屬屏蔽板,第一金屬屏蔽板具有包含一個面和另一面的屏蔽板主體和從屏蔽板主體向側(cè)方突出的毛邊,第一金屬屏蔽板配置成使另一面朝向襯底一側(cè),毛邊位于屏蔽板主體的另一面?zhèn)龋诿叺那岸搜嘏c另一面正交的方向形成有切斷毛邊,切斷毛邊朝著與襯底相反的一側(cè)突出。
本發(fā)明半導(dǎo)體裝置的特征在于,第一金屬屏蔽板及第二金屬屏蔽板由包含F(xiàn)e-Ni合金的材料構(gòu)成。
本發(fā)明為一種半導(dǎo)體裝置,其特征在于包括:襯底;設(shè)置在襯底上的第一金屬屏蔽板;設(shè)置在第一金屬屏蔽板上并具有電路面的半導(dǎo)體芯片;以及在半導(dǎo)體芯片的電路面設(shè)置的第二金屬屏蔽板,第一金屬屏蔽板具有包含一個面和另一面的屏蔽板主體和從屏蔽板主體向側(cè)方突出的毛邊,第一金屬屏蔽板配置成使一個面朝向襯底一側(cè),毛邊位于屏蔽板主體的另一面?zhèn)龋诿叺那岸搜嘏c另一面正交的方向形成有切斷毛邊。
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