[發明專利]電極、光伏器件和制作方法

無效

• 申請號: 201110463070.7
• 申請日: 2011-11-30
• 公開（公告）號: CN102593195A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發明（設計）人: J·C·羅霍;B·A·科列瓦爾;H·曹;J·曹;J·D·邁克爾
• 申請（專利權）人: 通用電氣公司
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L31/0296;H01L31/18
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 徐晶;林毅斌

1.一種透明電極，包括：

襯底；和

設置在襯底上的透明層，其中透明層包括：

(a)包括氧化錫鎘的第一區域，

(b)包括錫和氧的第二區域，和

(c)介于第一區域和第二區域之間的包括鎘、錫和氧的過渡區域，其中過渡區域中的鎘對錫的原子比在過渡區域厚度上變化，

其中第二區域具有比第一區域的電阻率高的電阻率。

2.根據權利要求1的透明電極，其中第一區域中的鎘對錫的原子比在約1.2∶1到約3∶1的范圍。

3.根據權利要求1的透明電極，其中第一區域中的鎘對錫的原子比在約1.5∶1到約2∶1的范圍。

4.根據權利要求1的透明電極，其中第一區域中的鎘對錫的原子比在第一區域的厚度上基本上恒定。

5.根據權利要求1的透明電極，其中第一區域具有約100nm到約400nm范圍的厚度。

6.根據權利要求1的透明電極，其中氧化錫鎘具有基本上單相尖晶石結晶結構。

7.根據權利要求1的透明電極，其中第二區域具有約20nm到約200nm范圍的厚度。

8.根據權利要求1的透明電極，其中第二區域進一步包括鎘并且鎘的原子濃度小于約5％。

9.根據權利要求1的透明電極，其中第二區域進一步包括鎘并且鎘的原子濃度小于約0.5％。

10.根據權利要求1的透明電極，其中第二區域基本上無鎘。

11.根據權利要求1的透明電極，其中過渡區域具有約40nm到約100nm范圍的厚度。

12.根據權利要求1的透明電極，其中過渡區域中的鎘對錫的原子比從第一區域向第二區域減少。

13.根據權利要求1的透明電極，其中第一區域具有小于約2×10^-4Ohms-cm的電阻率。

14.根據權利要求1的透明電極，其中第二區域具有大于約10^-2Ohms-cm的電阻率。

15.根據權利要求1的透明電極，其中透明電極具有大于約80％的平均光透過率。

16.一種光伏器件，包括：

襯底；

設置在襯底上的透明層；

設置在透明層上的第一半導體層；

設置在第一半導體層上的第二半導體層，以及

設置在第二半導體層上的背面接觸層，其中透明層包括：

(a)包括氧化錫鎘的第一區域，

(b)包括錫和氧的第二區域，和

(c)介于第一區域和第二區域之間的包括鎘、錫和氧的過渡區域，其中過渡區域中的鎘對錫的原子比在過渡區域厚度上變化，

其中第二區域具有比第一區域的電阻率高的電阻率。

17.根據權利要求16的光伏器件，其中第一半導體層包括硫化鎘。

18.根據權利要求16的光伏器件，其中第二半導體層包括碲化鎘。

19.根據權利要求16的光伏器件，其中第一半導體層具有約30nm到約150nm范圍的厚度。

20.根據權利要求16的光伏器件，其中第二半導體層具有約1500nm到約4000nm范圍的厚度。

21.根據權利要求16的光伏器件，其中光伏器件進一步包括介于透明層和第一半導體層之間的緩沖層。

22.根據權利要求21的光伏器件，其中緩沖層包括選自氧化錫、氧化銦、氧化鋅和其組合的氧化物。

23.包括多個權利要求16所限定的光伏器件的光伏模塊。