[發明專利]氣體絕緣斷路器

有效

• 申請號: 201110463067.5
• 申請日: 2011-11-22
• 公開（公告）號: CN102568921A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: N·巴塞;M·西格;E·曼茨
• 申請（專利權）人: ABB研究有限公司
• 主分類號: H01H33/98
• 分類號: H01H33/98
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 李強;楊楷

1.一種電路斷開方法，包括以下步驟：

a)提供具有填充有絕緣氣體的中斷室的氣吹式斷路器(1，1a，1b)，所述中斷室包括起弧區(9)以及至少兩個可分開起弧觸頭(2，6)；

b)在所述中斷室的第二加熱容積(25)中存儲一定量絕緣氣體，所述第二加熱容積(25)與所述起弧區(9)流體地連接，且能夠與第一加熱容積(13)流體地連接，其中，所述第一加熱容積(13)與所述起弧區(9)流體地連接；

c)將所述起弧觸頭(2，6)彼此分開，使得在所述起弧觸頭(2，6)之間產生電弧(10)，以及使得所述電弧(10)在所述第二加熱容積(25)中產生的氣體壓力比標稱氣體壓力高大約3巴；

d)通過從所述起弧區(9)進入所述第二加熱容積(25)的經加熱絕緣氣體對所述第二加熱容積(25)中的所述一定量絕緣氣體加壓；

e)至少引導至少在步驟d)期間從所述起弧區(9)進入所述第二加熱容積(25)中的所述經加熱絕緣氣體，使得從所述起弧區(9)進入所述第二加熱容積(25)的所述經加熱絕緣氣體被所述第二加熱容積(25)的氣體引導機構(23，24，29，29a)阻止與存儲在所述第二加熱容積(25)中的所述一定量絕緣氣體混合，其中，所述第二加熱容積(25)是所述第一加熱容積(13)的至少20％大；

f)通過從所述起弧區(9)進入所述第一加熱容積(13)中的所述經加熱絕緣氣體施加在存儲在所述第二加熱容積(25)中的所述氣體上的氣體壓力來將存儲在所述第二加熱容積(25)中的所述一定量絕緣氣體噴射到所述第一加熱容積(13)中；

g)通過引導所述絕緣氣體從所述第一加熱容積(13)通過至少一個吹送通道(14)返回到所述起弧區(9)來中斷所述電弧(10)。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二加熱容積(25)是所述第一加熱容積(13)的至少40％大，以及/或者其中，所述電弧(10)在步驟c中處于箍縮模式。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述氣體引導機構(21，22，23，24，29，29a)

a)包括用于在第一方向(40)上引導從所述起弧區(9)進入所述第二加熱容積(25)的經加熱絕緣氣體的第一引導元件(21)，以及用于在第二方向(41)上引導絕緣氣體而給所述第一引導元件(21)留下第一部分的第二引導元件(22)，其中，所述第一方向(40)和所述第二方向(41)具有相反的方向分量；以及/或者

b)將所述第二加熱容積(25)細分為彼此流體地分離的多個氣體通道。

4.根據權利要求1至4中的任一項所述的方法，其特征進一步在于，主動冷卻存儲在所述第二加熱容積(25)中的所述絕緣氣體和從所述起弧區(9)進入所述第二加熱容積(25)中的所述氣體中的至少一個。

5.一種斷路器(1，1a，1b)，包括填充有絕緣氣體的中斷室，至少兩個可分開起弧觸頭(2，6)限定起弧區(9)，其中，在電路中斷過程期間，在所述至少兩個可分開起弧觸頭(2，6)之間能夠產生電弧(10)，其中，所述中斷室包括與所述起弧區(9)流體地連接的第一加熱容積(13)和與所述起弧區(9)流體地連接的第二加熱容積(25)，

以及其中，所述第二加熱容積(25)能夠通過單向閥(26)與所述第一加熱容積(13)流體地連接，如果所述第二加熱容積中的氣體壓力超過預定義值，所述單向閥(26)就打開，其中，所述第二加熱容積(25)是所述第一加熱容積(13)的至少20％大，并且其中，所述第二加熱容積(25)包括用于至少引導從所述起弧區(9)進入所述第二加熱容積(25)的經加熱絕緣氣體的引導機構(23，24，29，29a)，使得從所述起弧區(9)進入所述第二加熱容積(25)的所述經加熱絕緣氣體被阻止與在所述電路中斷過程之前存儲在所述第二絕緣容積(25)中的一定量絕緣氣體混合。

6.根據權利要求5至7中的任一項所述的斷路器，其特征在于，所述引導機構(21，22，23，24)包括用于在第一方向(40)上引導從所述起弧區(9)進入所述第二加熱容積(25)的經加熱絕緣氣體的第一引導元件(21)，以及用于在與所述第一方向(40)不同的第二方向(41)上引導絕緣氣體而給所述第一引導元件(21)留下第一部分的第二引導元件(22)，

其中，所述第一方向(40)和所述第二方向(41)具有相反的方向分量。