[發(fā)明專利]基板處理方法和存儲介質

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110462711.7
• 申請日: 2011-12-23
• 公開（公告）號: CN102593045A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發(fā)明（設計）人: 西村榮一
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會社
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/3213;C23F4/00
• 代理公司: 北京尚誠知識產(chǎn)權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

1.一種基板處理方法，在對基板實施等離子體蝕刻處理的基板處理裝置中被執(zhí)行，所述基板處理方法的特征在于，具有：

從在氫氣中添加了碳化合物的氣體的處理氣體生成等離子體，并利用該等離子體對所述基板具備的銅部件進行蝕刻的主蝕刻步驟。

2.如權利要求1所述的基板處理方法，其特征在于，具有：

在所述主蝕刻步驟前對所述基板所具備的含有氧的層進行蝕刻的含氧層蝕刻步驟。

3.如權利要求2所述的基板處理方法，其特征在于：

在所述含氧層蝕刻和所述主蝕刻步驟之間，還具有除去在所述銅部件表面存在的異物的異物除去步驟。

4.如權利要求3所述的基板處理方法，其特征在于：

在所述異物除去步驟中，從在氫氣中添加了稀有氣體的處理氣體生成等離子體。

5.如權利要求4所述的基板處理方法，其特征在于：

所述稀有氣體為氬氣。

6.如權利要求1～5中任一項所述的基板處理方法，其特征在于：

所述碳化合物為甲烷或一氧化碳。

7.如權利要求1～6中任一項所述的基板處理方法，其特征在于：

所述基板處理裝置為具備互相平行且相對的兩個電極的電容耦合型基板處理裝置，在所述兩個電極之間生成等離子體，利用所生成的該等離子體對載置在一個所述電極上的所述基板實施所述等離子體蝕刻處理。