[發(fā)明專利]一個晶體管的智能寫入

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110462564.3
• 申請日: 2011-12-31
• 公開（公告）號: CN103035295B
• 公開（公告）日: 2021-02-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 范卡特拉曼·普拉哈卡;斐德列克·杰能
• 申請（專利權(quán)）人: 經(jīng)度快閃存儲解決方案有限責(zé)任公司
• 主分類號: G11C16/34
• 分類號: G11C16/34;G11C16/16
• 代理公司: 北京泛華偉業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11280
• 代理人: 王勇

公開了一個晶體管的智能寫入。逐列(逐個單元)地選擇性地增加字線上特定非易失性存儲單元的閾值電壓。在某些單元上執(zhí)行選擇性編程，同時在其他單元上執(zhí)行編程禁止，這使得全部單元具有在最小可接受值和最大可接受值之間的閾值電壓。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及用于一個晶體管器件(“1T SONOS”)的智能寫入。

背景技術(shù)

由于使用了額外的選擇晶體管，所以雙晶體管的硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅存儲(memory)器件(“2T SONOS”)能夠忍受單個存儲單元的擦除閾值電壓(Vt)分布中的較大變化。在這類器件中，沒必要由列基礎(chǔ)(basis)來調(diào)整列上的擦除閾值電壓。但是，擦除閾值電壓分布沒有緊密到足以使一個晶體管(“1T SONOS”)器件具有功能。由于給定存儲行內(nèi)SONOS器件特性的大的變化，現(xiàn)有技術(shù)并不能顯著地將扇區(qū)內(nèi)擦除閾值電壓的分布變緊密。對于許多先進(jìn)技術(shù)(130nm及以下)來說，隨機(jī)摻雜波動是Vt變化的重要來源。對于這些技術(shù)來說，WL內(nèi)的Vt分布自然是非常寬的——事實上幾乎可以和整個芯片內(nèi)的Vt分布一樣寬。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的一個實施例公開了一種處理，包括：通過在單元的第一子集上執(zhí)行選擇性軟編程(soft program)，同時在該單元的第二子集上執(zhí)行編程禁止，逐個單元地選擇性地增加同一字線上多個非易失性存儲單元中特定存儲單元的閾值電壓；以及重復(fù)該選擇性軟編程，直到全部單元具有落在最小可接受值和最大可接受值之間的閾值電壓。

本發(fā)明的另一實施例公開了一種非易失性機(jī)器存儲電路，包括：多個存儲單元；以及邏輯，用以：通過在單元的第一子集上執(zhí)行選擇性軟編程，同時在該單元的第二子集上執(zhí)行編程禁止，逐個單元地選擇性地增加字線上的單元的第一子集的閾值電壓；在該單元的第一子集上重復(fù)選擇性軟編程，直到字線上的全部單元具有落在最小可接受值和最大可接受值之間的閾值電壓。

本發(fā)明的又一實施例公開了一種方法，包括：通過在單元的第一子集上重復(fù)執(zhí)行選擇性軟編程，同時在同一字線上單元的第二子集上執(zhí)行編程禁止，逐個單元地選擇性地增加同一字線上的特定非易失性存儲單元的閾值電壓；改變單元的第一子集的軟編程的重復(fù)之間的軟編程電壓電平和軟編程間隔中的一個或兩個；以及重復(fù)該選擇性軟編程，直到全部單元具有落在最小可接受值和最大可接受值之間的閾值電壓。

附圖說明

附圖中，為了易于理解和便利，相同的附圖標(biāo)記和縮寫標(biāo)識具有相同或相似功能的元件或動作。為了易于識別任何特定元件或動作的詳述，附圖標(biāo)記中的最高有效位或數(shù)位指代首次引入該元件的圖號。

圖1例示了單晶體管SONOS存儲單元陣列的實施例。

圖2例示了一種情況，其中大塊擦除操作之后，SONOS晶體管的擦除閾值具有擴(kuò)展到比-1.2V更負(fù)的禁帶(forbidden region)的固有閾值電壓分布。

圖3例示了應(yīng)用已擦除單元閾值調(diào)整處理之后的同一單元。

圖4和5例示了已選和未選字線(WL)的單個單元電流與SONOS閾值電壓相比的示例。

圖6和7例示了沿著WL的單元閾值分布調(diào)整的示例性處理和電路。

圖8和9例示了存儲陣列中SONOS晶體管的閾值電壓調(diào)整處理的實施例。

圖10和11例示了存儲陣列中SONOS晶體管的閾值電壓調(diào)整處理的第三實施例。

圖12例示了根據(jù)在此描述實施例的閾值電壓調(diào)整處理的示例性脈沖序列。

圖13例示了含有機(jī)器存儲系統(tǒng)實施例的機(jī)器的示例。

具體實施方式

序言