[發明專利]氧化物薄膜晶體管及其制造方法

無效

• 申請號: 201110462545.0
• 申請日: 2011-12-12
• 公開（公告）號: CN102543754A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 金大煥;崔秉國;李瑟;林訓
• 申請（專利權）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;孫海龍

1.一種氧化物薄膜晶體管的制造方法，所述方法包括以下步驟：

在基板上形成柵極；

依次形成柵絕緣膜、氧化物半導體層以及第一絕緣層；

選擇性地構圖所述氧化物半導體層以及所述第一絕緣層，以在所述柵極上形成有源層和絕緣層圖案；

在其上形成有所述有源層和所述絕緣層圖案的所述基板上形成第二絕緣層；

選擇性地構圖所述絕緣層圖案和所述第二絕緣層，以在所述有源層上形成第一刻蝕阻止層和第二刻蝕阻止層；以及

在其上形成有所述第一刻蝕阻止層和所述第二刻蝕阻止層的所述基板上形成與所述有源層的源區和漏區電連接的源極和漏極，

其中，所述氧化物半導體層是包括AxByCzO(A，B，C＝Zn，Cd，Ga，In，Sn，Hf，Zr；x，y，z≥0)化合物的三元氧化物半導體或四元氧化物半導體。

2.根據權利要求1所述的方法，所述方法還包括以下步驟：

在其上形成有所述源區和所述漏區的所述基板上形成保護層；

選擇性地去除所述保護層，以形成將所述漏極露出的接觸孔；以及

形成通過所述接觸孔與所述漏極電連接的像素電極。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，所述氧化物半導體層由非晶氧化鋅基半導體制成。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，所述基板由玻璃基板或塑料基板形成。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，通過采用例如氧等離子體處理的干法刻蝕對所述第一絕緣層和所述第二絕緣層構圖。

6.根據權利要求5所述的方法，其中，當所述第一絕緣層和所述第二絕緣層被構圖時，露出的未被所述第一刻蝕阻止層和所述第二刻蝕阻止層覆蓋的所述有源層具有被所述氧等離子體減小的電阻，因此形成了所述源區和所述漏區，所述源區和所述漏區為與所述源極和所述漏極相接觸的接觸區。

7.根據權利要求5所述的方法，所述方法還包括以下步驟：

在形成所述第一刻蝕阻止層和所述第二刻蝕阻止層之后執行表面處理或熱處理，以減小所露出的氧化物半導體層的電阻。

8.根據權利要求1所述的方法，其中，將所述絕緣層圖案構圖為具有與下面的所述有源層基本相同的形狀。

9.根據權利要求1所述的方法，其中，選擇性地構圖所述絕緣層圖案和所述第二絕緣層，以在所述有源層上、所述有源層的所述源區和所述漏區之外，形成由所述第一絕緣層和所述第二絕緣層制成的所述第一刻蝕阻止層和所述第二刻蝕阻止層。

10.根據權利要求1所述的方法，其中，相互垂直地布置所述有源層和所述第二刻蝕阻止層。

11.根據權利要求1所述的方法，其中，將所述第二刻蝕阻止層構圖為具有與下面的所述第一刻蝕阻止層基本相同的寬度。