[發(fā)明專利]光伏器件及其制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110462318.8 | 申請日: | 2011-11-30 |
| 公開(公告)號: | CN102544153A | 公開(公告)日: | 2012-07-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | O·薩利馬;L·察卡拉科斯;魏慶雨;A·M·斯里瓦斯塔瓦;A·F·哈弗森 | 申請(專利權(quán))人: | 通用電氣公司 |
| 主分類號: | H01L31/048 | 分類號: | H01L31/048;H01L31/055;H01L31/0352;H01L31/18 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 張金金;盧江 |
| 地址: | 美國*** | 國省代碼: | 美國;US |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一種物品(10),其包括:
光伏活性區(qū)(20);以及
光伏無活性區(qū)(30);
其中所述物品(10)進(jìn)一步包括設(shè)置在所述無活性區(qū)(30)中的填充物材料(40),所述填充物材料(40)包括配置成使入射到所述填充物材料(40)上的光的至少50%散射的反射材料。
2.如權(quán)利要求1所述的物品(10),其中所述反射材料包括設(shè)置在基質(zhì)中的多個散射中心。
3.如權(quán)利要求2所述的物品(10),其中所述散射中心包括多個微粒。
4.如權(quán)利要求3所述的物品(10),其中所述微粒包括鈦、鋁、硅、鉿、鋯或包括前述中至少一個的組合的氧化物。
5.如權(quán)利要求2所述的物品(10),其中基質(zhì)的折射率和所述散射中心的折射率之間的差為至少0.5。
6.如權(quán)利要求1所述的物品(10),其中所述填充物材料(40)進(jìn)一步包括鈍化劑。
7.如權(quán)利要求1所述的物品(10),其中所述填充物材料(40)進(jìn)一步包括波長轉(zhuǎn)換材料。
8.如權(quán)利要求7所述的物品(10),其中所述波長轉(zhuǎn)換材料包括基質(zhì)材料中的多個微粒。
9.如權(quán)利要求7所述的物品(10),其中所述波長轉(zhuǎn)換材料包括氧化物、氟化物、磷化物或氧氮化物。
10.如權(quán)利要求7所述的物品(10),其中所述波長轉(zhuǎn)換材料包括摻雜材料,其包括從由鉺、釤、錳、鈰和銪構(gòu)成的組中選擇的發(fā)光摻雜物。
11.如權(quán)利要求7所述的物品(10),其中所述波長轉(zhuǎn)換材料具有與所述活性區(qū)(20)的低效區(qū)重疊的激發(fā)區(qū)。
12.如權(quán)利要求7所述的物品(10),其中所述波長轉(zhuǎn)換材料具有與所述活性區(qū)(20)的高效區(qū)重疊的發(fā)射區(qū)。
13.如權(quán)利要求7所述的物品(10),其中所述活性區(qū)(20)包括碲化鎘,并且其中所述波長轉(zhuǎn)換材料具有包括小于約600nm的一個或多個波長的光的激發(fā)區(qū),和包括從約500nm至約850nm范圍中的一個或多個波長的光的發(fā)射區(qū)。
14.如權(quán)利要求1所述的物品(10),其中所述無活性區(qū)(30)包括從由劃線、邊緣和光伏電池間的間隙構(gòu)成的組中選擇的至少一個區(qū)域。
15.一種物品(10),其包括:
光伏活性區(qū)(20);以及
光伏無活性區(qū)(30);
其中所述物品(10)進(jìn)一步包括設(shè)置在所述無活性區(qū)(30)中的填充物材料(40),所述填充物材料(40)包括波長轉(zhuǎn)換材料。
16.如權(quán)利要求15所述的物品(10),其中所述波長轉(zhuǎn)換材料包括基質(zhì)材料中的多個微粒。
17.如權(quán)利要求15所述的物品(10),其中所述波長轉(zhuǎn)換材料包括氧化物、氟化物、磷化物或氧氮化物。
18.如權(quán)利要求15所述的物品(10),其中所述波長轉(zhuǎn)換材料包括摻雜材料,其包括從由鉺、釤、錳、鈰和銪構(gòu)成的組中選擇的發(fā)光摻雜物。
19.如權(quán)利要求15所述的物品(10),其中所述波長轉(zhuǎn)換材料具有與所述活性區(qū)(20)的低效區(qū)重疊的激發(fā)區(qū)。
20.如權(quán)利要求15所述的物品(10),其中所述波長轉(zhuǎn)換材料具有與所述活性區(qū)(20)的高效區(qū)重疊的發(fā)射區(qū)。
21.如權(quán)利要求15所述的物品(10),其中所述活性區(qū)(20)包括碲化鎘,并且其中所述波長轉(zhuǎn)換材料具有包括小于約600nm的一個或多個波長的光的激發(fā)區(qū),和包括從約500nm至約850nm范圍中的一個或多個波長的光的發(fā)射區(qū)。
22.如權(quán)利要求15所述的物品(10),其中所述填充物材料(40)進(jìn)一步包括鈍化劑。
23.一種物品(10),其包括:
包括碲化鎘的光伏活性區(qū)(20);以及
光伏無活性區(qū)(30);
其中所述物品(10)進(jìn)一步包括設(shè)置在所述無活性區(qū)(30)中的填充物材料(40),所述填充物材料(40)包括波長轉(zhuǎn)換材料,其具有包括小于約600nm波長的光的激發(fā)區(qū),和包括從約500nm至約850nm范圍中的波長的光的發(fā)射區(qū)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





