[發(fā)明專利]用于制造包括懸浮隔膜的聲波諧振器的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110462242.9
• 申請(qǐng)日: 2011-12-09
• 公開（公告）號(hào): CN102545814A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: B·因貝特;E·德費(fèi);C·德蓋;H·莫里索;M·皮約拉特
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 原子能和能源替代品委員會(huì)
• 主分類號(hào): H03H3/02
• 分類號(hào): H03H3/02
• 代理公司: 北京戈程知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

1.一種用于制造聲波諧振器的方法，所述聲波諧振器包括懸浮隔膜，所述懸浮隔膜包括壓電材料層，其特征在于所述方法包括如下步驟：

-產(chǎn)生第一堆疊，該第一堆疊包括位于第一襯底的表面之上的至少一個(gè)第一壓電材料(C_Piezo)層；

-產(chǎn)生第二堆疊，該第二堆疊包括至少一個(gè)第二襯底；

-在隨后的鍵合步驟之前，通過控制尺寸的粒子的沉積或產(chǎn)生來制造至少一個(gè)非鍵合初始區(qū)域，將所述堆疊的其中一個(gè)的表面局被賦予投影納米結(jié)構(gòu)；

-所述兩個(gè)堆疊的直接鍵合產(chǎn)生了位于堆疊之間的氣泡(CAV)，這是由于非鍵合初始區(qū)域的存在導(dǎo)致的；

-薄化所述第一堆疊以消除至少所述第一襯底。

2.如權(quán)利要求1所述的用于制造聲波諧振器的方法，其特征在于所述直接鍵合是通過放置兩個(gè)堆疊為直接接觸、或者通過熱壓、或者通過陽極鍵合、或者通過熔化鍵合來實(shí)現(xiàn)的。

3.如權(quán)利要求1和2中任意一項(xiàng)所述的用于制造聲波諧振器的方法，其特征在于在所述直接鍵合步驟之中或者之后執(zhí)行熱處理步驟以便提升所述氣泡的產(chǎn)生和/或增長(zhǎng)。

4.如權(quán)利要求1至3中任意一項(xiàng)所述的用于制造聲波諧振器的方法，其特征在于所述非鍵合初始區(qū)域是投影納米結(jié)構(gòu)，該投影納米結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)于相對(duì)于微米尺寸的所述堆疊的表面的局部突起。

5.如權(quán)利要求4所述的用于制造聲波諧振器的方法，其特征在于所述產(chǎn)生該投影納米結(jié)構(gòu)的步驟是通過光刻以及蝕刻來執(zhí)行的。

6.如權(quán)利要求4所述的用于制造聲波諧振器的方法，其特征在于所述產(chǎn)生該投影納米結(jié)構(gòu)的步驟是通過以局部方式沉積控制尺寸的粒子來執(zhí)行的。

7.如權(quán)利要求4至6中任意一項(xiàng)所述的用于制造聲波諧振器的方法，其特征在于所述投影納米結(jié)構(gòu)具有從幾十納米到幾百納米量級(jí)的高度，所述氣泡具有一千微米量級(jí)的直徑范圍。

8.如權(quán)利要求4至7中任意一項(xiàng)所述的用于制造聲波諧振器的方法，其特征在于還包括在鍵合之前準(zhǔn)備圍繞所述投影納米結(jié)構(gòu)的表面或者面向所述投影納米結(jié)構(gòu)的表面的準(zhǔn)備步驟，以便在熱處理過程中促進(jìn)或者適于所述氣泡的擴(kuò)展，所述準(zhǔn)備步驟包括降低親水性和/或改變所述表面的粗糙度。

9.如權(quán)利要求8所述的用于制造聲波諧振器的方法，其特征在于用降低所述親水性的準(zhǔn)備步驟是通過等離子或者UV/臭氧處理來執(zhí)行的。

10.如權(quán)利要求8所述的用于制造聲波諧振器的方法，其特征在于用于改變所述粗糙度的準(zhǔn)備步驟是通過化學(xué)刻蝕、濕刻蝕或者干蝕刻來執(zhí)行的。

11.如權(quán)利要求1至3中任意一項(xiàng)所述的用于制造聲波諧振器的方法，其特征在于所述非鍵合初始區(qū)是通過局部沉積碳?xì)浠衔锘蛘吣軌蛏蓺怏w副產(chǎn)品的液體或者固體產(chǎn)品而獲得的。

12.如權(quán)利要求11所述的用于制造聲波諧振器的方法，其特征在于局部沉積碳?xì)浠衔锸墙柚恿︼@微鏡的針尖執(zhí)行的。

13.如前述任意一項(xiàng)權(quán)利要求所述的用于制造聲波諧振器的方法，其特征在于所述第一堆疊和/或第二堆疊在其表面包括鍵合層，在該鍵合層的層面執(zhí)行后續(xù)的鍵合步驟。

14.如前述任意一項(xiàng)權(quán)利要求所述的用于制造聲波諧振器的方法，其特征在于所述第一堆疊在第一壓電材料層和所述可選鍵合層(或所述表面)之間包括用作電極的金屬層。

15.如前述任意一項(xiàng)權(quán)利要求所述的用于制造聲波諧振器的方法，其特征在于所述第一壓電材料是單晶體。

16.如前述任意一項(xiàng)權(quán)利要求所述的用于制造聲波諧振器的方法，其特征在于所述方法還包括離子植入步驟以便在所述第一堆疊中產(chǎn)生掩埋脆弱區(qū)，該掩埋脆弱區(qū)與所述堆疊的表面劃定的區(qū)域包括第一壓電材料層的至少一部分。

17.如權(quán)利要求16所述的用于制造聲波諧振器的方法，其特征在于所述薄化是通過在所述掩埋脆弱區(qū)的層面的破裂獲得。

18.如前述任意一項(xiàng)權(quán)利要求所述的用于制造聲波諧振器的方法，其特征在于所述薄化是通過機(jī)械化學(xué)類型的拋光獲得的。