[發(fā)明專利]一種具有搭橋晶粒結(jié)構(gòu)的多晶硅薄膜的制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110461881.3
• 申請日: 2011-12-31
• 公開（公告）號: CN103762175A
• 公開（公告）日: 2014-04-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 趙淑云;郭海成;王文
• 申請（專利權(quán)）人: 廣東中顯科技有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/20;C30B31/22
• 代理公司: 北京瑞恒信達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11382
• 代理人: 苗青盛;王鳳華

1.一種制備具有搭橋晶粒結(jié)構(gòu)的多晶硅薄膜的方法，包括：

1)在多晶硅薄膜表面旋涂光刻膠；

2)軟烤，然后使用光刻機(jī)對光刻膠進(jìn)行曝光；

3)進(jìn)行顯影處理，在光刻膠中形成多個(gè)條形凹槽，周期為0.5-1μm；

4)硬烤，然后通過離子注入進(jìn)行摻雜。

2.一種制備具有搭橋晶粒結(jié)構(gòu)的多晶硅薄膜的方法，包括：

1)在非晶硅薄膜表面旋涂光刻膠；

2)軟烤，然后使用光刻機(jī)對光刻膠進(jìn)行曝光；

3)進(jìn)行顯影處理，在光刻膠中形成多個(gè)條形凹槽，周期為0.5-1μm；

4)硬烤，然后通過離子注入進(jìn)行摻雜；

5)使非晶硅薄膜結(jié)晶化。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中軟烤的步驟包括在90攝氏度下加熱1分鐘。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中硬烤的步驟包括在120攝氏度下加熱。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中在波長為365nm光下對光刻膠進(jìn)行曝光。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中在曝光后，在110℃加熱1分鐘之后，再進(jìn)行顯影處理。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，摻雜濃度在10¹²/cm²到10¹⁶/cm²范圍內(nèi)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，摻雜濃度在10¹⁴/cm²到4×10¹⁵/cm²范圍內(nèi)。