[發(fā)明專利]用于制造微機械組件的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110461879.6
• 申請日: 2011-11-23
• 公開（公告）號: CN102530837A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發(fā)明（設計）人: H·斯特爾;C·萊嫩巴赫;A·弗蘭克;J·賴因穆特;A·費伊;C·雷蒂希
• 申請（專利權）人: 羅伯特·博世有限公司
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 曾立

1.用于制造微機械組件的方法，所述方法包括以下方法步驟：

提供一襯底(100)，所述襯底具有設置在所述襯底(100)上的層狀布置，所述層狀布置包括絕緣材料(110)、導電層區(qū)段(120)和與所述導電層區(qū)段(120)連接的保護層結構(130)，所述保護層結構包圍所述絕緣材料(110)的一個區(qū)段，以及

實施用于去除所述絕緣材料(110)的一部分的各向同性蝕刻工藝，其中，所述導電層區(qū)段(120)和所述保護層結構(130)防止去除所述絕緣材料(110)的被包圍的區(qū)段，其中，構造一結構元件(181，183)，所述結構元件包括所述導電層區(qū)段(120)、所述保護層結構(130)和所述絕緣材料(110)的被包圍的區(qū)段。

2.根據權利要求1所述的方法，

其中，設置在所提供的襯底上的層狀布置包括設置在不同平面中并且通過保護層結構(130)連接的多個導電層區(qū)段(120)，其中，這些保護層結構(130)分別包圍所述絕緣材料(110)的一個區(qū)段，

其中，通過實施用于去除所述絕緣材料(110)的一部分的各向同性蝕刻工藝來構造一結構元件(181，183)，所述結構元件包括設置在多個平面中的導電層區(qū)段(120)、保護層結構(130)和所述絕緣材料(110)的被包圍的區(qū)段。

3.根據以上權利要求中任一項所述的方法，所述方法還包括：

在實施用于去除所述絕緣材料(110)的一部分的各向同性蝕刻工藝之后實施用于去除所述保護層結構(130)的蝕刻工藝。

4.根據以上權利要求中任一項所述的方法，所述方法還包括：

去除所述襯底(110)的襯底材料，以使所述結構元件(181，183)獨立。

5.根據以上權利要求中任一項所述的方法，

其中，構造一結構元件(183)，所述結構元件在不同平面中分別具有兩個導電層區(qū)段(121a，121b，122a，122b，123a，123b)。

6.根據以上權利要求中任一項所述的方法，

其中，在設置在所提供的襯底(100)上的層狀布置中，與導電層區(qū)段(120)連接的保護層結構(130)與所述襯底(100)連接。

7.根據權利要求1-5中任一項所述的方法，

其中，設置在所提供的襯底上的層狀布置具有分隔層(140)，所述分隔層通過保護層結構(130)與導電層區(qū)段(120)連接，并且所述絕緣材料(110)的與所述襯底(100)連接的區(qū)段(115)通過所述分隔層與所述絕緣材料(110)的另一區(qū)段(116)分離，從而，在實施用于去除所述絕緣材料(110)的一部分的各向同性蝕刻工藝時去除所述絕緣材料(110)的所述另一區(qū)段(116)，并且保護所述絕緣材料(110)的與所述襯底(100)連接的區(qū)段(115)免被去除。

8.根據權利要求7所述的方法，

其中，在去除所述保護層結構的范疇內去除所述分隔層(140)，以及實施用于去除所述絕緣材料(110)的與所述襯底連接的區(qū)段(115)的一部分的另一蝕刻工藝。

9.根據以上權利要求中任一項所述的方法，

其中，所述絕緣材料是氧化物材料(110)。

10.根據以上權利要求中任一項所述的方法，

其中，所述保護層結構(130)具有以下材料中的一種：鎢，銅。