[發明專利]一種具有搭橋晶粒結構的多晶硅薄膜晶體管

無效

• 申請號: 201110461875.8
• 申請日: 2011-12-31
• 公開（公告）號: CN103779420A
• 公開（公告）日: 2014-05-07
• 發明（設計）人: 趙淑云;郭海成;王文
• 申請（專利權）人: 廣東中顯科技有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/04
• 代理公司: 北京瑞恒信達知識產權代理事務所(普通合伙) 11382
• 代理人: 苗青盛;王鳳華

1.一種薄膜晶體管，包括：

有源層，由多晶硅薄膜構成，該多晶硅薄膜通過橫向金屬誘導結晶而形成，具有長條狀的晶粒，該多晶硅薄膜中具有平行的摻雜線條，所述摻雜線條連接多個晶粒；

有源層上的源極和漏極；

柵極絕緣層；

柵極。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其中所述導電帶或導電線由摻雜硼或磷的線條組成。

3.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其中所述平行的摻雜線條的方向垂直于電流方向。

4.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其中摻雜線條的周期與晶粒大小類似。

5.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其中誘導線的寬度是8微米，兩條相鄰誘導線之間的距離是100微米。

6.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其中電流平行于結晶方向。

7.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其中電流垂直于結晶方向。

8.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其中摻雜線條的寬度為0.5微米。

9.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其中摻雜線條之間的距離為0.5微米。

10.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其中溝道寬度為10μm，溝道長度為1μm至20μm。