[發明專利]底柵薄膜晶體管的制造方法

無效

• 申請號: 201110461855.0
• 申請日: 2011-12-31
• 公開（公告）號: CN103762168A
• 公開（公告）日: 2014-04-30
• 發明（設計）人: 黃宇華;史亮亮;趙淑云
• 申請（專利權）人: 廣東中顯科技有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/786;H01L29/04;H01L29/06;H01L29/10
• 代理公司: 北京瑞恒信達知識產權代理事務所(普通合伙) 11382
• 代理人: 苗青盛;王鳳華

1.一種底柵薄膜晶體管的制造方法，包括：

1)、在襯底上形成柵極，并在柵極上形成V字型凹槽或V字型凸起；

2)、在該V字型凹槽或V字型凸起上沉積柵極絕緣層，然后在柵極絕緣層上沉積多晶硅薄膜；

3)、對多晶硅薄膜進行離子注入，離子注入的角度使部分多晶硅薄膜被摻雜，同時使部分多晶硅薄膜未摻雜，其中摻雜的部分形成搭橋晶粒線以及源區和漏區。

2.根據權利要求1所述的制造方法，還包括步驟4)：沉積氧化物層間絕緣體，然后在層間絕緣體中形成接觸孔。

3.根據權利要求2所述的制造方法，還包括步驟5)：在接觸孔中形成接觸電極。

4.根據權利要求1所述的制造方法，其中，離子注入方向與襯底之間的角度小于等于V字型的一個側面與襯底之間的角度。

5.根據權利要求1所述的制造方法，其中，V字型凹槽或V字型凸起的一個側面上的多晶硅薄膜被摻雜，而另一個側面上的多晶硅薄膜未被摻雜。

6.一種底柵薄膜晶體管，其有源層由多晶硅薄膜構成，該多晶硅薄膜生長在柵極上，該柵極具有V字型凹槽或V字型凸起，且柵極表面覆蓋有柵極絕緣層，其中部分多晶硅薄膜被摻雜，部分多晶硅薄膜未摻雜，其中摻雜的部分形成搭橋晶粒線以及源區和漏區。

7.根據權利要求6所述的薄膜晶體管，還包括氧化物層間絕緣體，層間絕緣體中具有接觸孔。

8.根據權利要求7所述的薄膜晶體管，其中，接觸孔中具有接觸電極。

9.根據權利要求6所述的薄膜晶體管，其中，多晶硅薄膜通過離子注入被摻雜，離子注入方向與襯底之間的角度小于等于V字型的一個側面與襯底之間的角度。

10.根據權利要求6所述的薄膜晶體管，其中，V字型凹槽或V字型凸起的一個側面上的多晶硅薄膜被摻雜，而另一個側面上的多晶硅薄膜未被摻雜。