[發明專利]一種搭橋晶粒多晶硅薄膜晶體管及其制造方法

無效

• 申請號: 201110461854.6
• 申請日: 2011-12-31
• 公開（公告）號: CN103762167A
• 公開（公告）日: 2014-04-30
• 發明（設計）人: 黃宇華;史亮亮;趙淑云
• 申請（專利權）人: 廣東中顯科技有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/10;H01L29/786
• 代理公司: 北京瑞恒信達知識產權代理事務所(普通合伙) 11382
• 代理人: 苗青盛;王鳳華

1.一種多晶硅薄膜的制造方法，包括：

1)、在襯底上形成條狀的凹陷或凸起結構；

2)、在該凹陷或凸起結構的表面上沉積多晶硅薄膜；

3)、對多晶硅薄膜進行離子注入，離子注入的角度使部分多晶硅薄膜被摻雜，同時使部分多晶硅薄膜未摻雜，其中摻雜的部分形成搭橋晶粒線。

2.根據權利要求1所述的制造方法，其中，所述多晶硅薄膜均勻地覆蓋凹陷或凸起結構的各個表面。

3.根據權利要求1所述的制造方法，其中，所述條狀的凹陷或凸起結構的橫截面為矩形。

4.根據權利要求1所述的制造方法，其中，所述條狀的凹陷或凸起結構的橫截面為V字型。

5.根據權利要求3所述的制造方法，其中，離子注入的方向垂直于襯底。

6.根據權利要求4所述的制造方法，其中，離子注入方向與襯底之間的角度小于或等于V字型的一個側面與襯底之間的角度。

7.一種薄膜晶體管的制造方法，包括：

1)、利用權利要求1所述的方法形成具有搭橋晶粒線結構的多晶硅薄膜；

2)、將該多晶硅薄膜作為有源層，形成柵絕緣層、柵極、源極和漏極。

8.一種薄膜晶體管的制造方法，包括：

1)、在襯底上形成柵極，并在柵極上形成條狀的凹陷或凸起結構；

2)、在該條狀的凹陷或凸起結構上沉積柵極絕緣層，然后在柵極絕緣層上沉積多晶硅薄膜；

3)、對多晶硅薄膜進行離子注入，離子注入的角度使部分多晶硅薄膜被摻雜，同時使部分多晶硅薄膜未摻雜，形成搭橋晶粒線以及源區和漏區；

4)、將步驟3)得到的多晶硅薄膜作為有源層，形成源極和漏極。

9.一種根據權利要求1所述的方法制備的多晶硅薄膜。

10.一種根據權利要求7所述的方法制備的薄膜晶體管。