[發明專利]晶片封裝體及其形成方法

有效

• 申請號: 201110461727.6
• 申請日: 2011-12-31
• 公開（公告）號: CN102543971A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 張恕銘;劉滄宇;何彥仕
• 申請（專利權）人: 精材科技股份有限公司
• 主分類號: H01L25/00
• 分類號: H01L25/00;H01L23/31;H01L21/50;B81B7/00
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

技術領域

本發明有關于晶片封裝體，且特別是有關于堆疊有至少兩晶片的晶片封裝體。

背景技術

晶片封裝制程是形成電子產品過程中的一重要步驟。晶片封裝體除了將晶片保護于其中，使免受外界環境污染外，還提供晶片內部電子元件與外界的電性連接通路。

提高晶片封裝體的可靠度與結構穩定性已成為重要課題。

發明內容

本發明一實施例提供一種晶片封裝體，包括：一第一晶片；一第二晶片，設置于該第一晶片之上；一孔洞，自該第一晶片的一表面朝向該第二晶片延伸；一導電層，設置于該第一晶片的該表面上，且延伸進入該孔洞而與該第一晶片中的一導電區或摻雜區電性連接；以及一支撐塊體，設置于該第一晶片與該第二晶片之間，且該支撐塊體完全覆蓋該孔洞的一底部。

本發明所述的晶片封裝體，還包括：一保護層，設置于該第一晶片的該表面上；以及一導電凸塊，設置于該第一晶片的該表面上，且電性連接該導電層。

本發明所述的晶片封裝體，還包括一連接塊體，設置于該第二晶片與該第一晶片之間，該連接塊體連接該第二晶片與該支撐塊體。

本發明所述的晶片封裝體，其中，該第一晶片包括一控制晶片，而該第二晶片包括一MEMS晶片。

本發明所述的晶片封裝體，還包括一絕緣層，位于該導電層與該第一晶片之間。

本發明所述的晶片封裝體，該第一晶片包括一MEMS晶片，而該第二晶片包括一控制晶片。

本發明所述的晶片封裝體，其中，該第一晶片包括一承載基底及一半導體層，其中該孔洞自該承載基底朝該半導體層延伸，且露出該半導體層中的一摻雜區。

本發明所述的晶片封裝體，其中，該支撐塊體與該孔洞的一底部隔有一間距而不直接接觸該孔洞的該底部。

本發明所述的晶片封裝體，還包括一密封環結構，設置于該第一晶片與該第二晶片之間，且該密封環結構設置于該第一晶片及/或該第二晶片的外圍之上，而包圍該第一晶片及/或該第二晶片上的一元件區。

本發明所述的晶片封裝體，其中，該密封環結構包括形成于該第一晶片的該表面上的一第一連接層及形成于該第二晶片上的一第二連接層。

本發明所述的晶片封裝體，其中，該第一連接層的材質與該支撐塊體的材質相同。

本發明所述的晶片封裝體，還包括至少一輔助支撐結構，設置于該第一晶片與該第二晶片之間。

本發明一實施例提供一種晶片封裝體的形成方法，包括：提供一第一基底；于該第一基底的一表面上形成一支撐塊體；提供一第二基底；將該第二基底接合于該第一基底的該表面上；自該第一基底的一第二表面移除部分的該第一基底以形成朝該第一基底上的該支撐塊體延伸的一孔洞，其中該支撐塊體完全覆蓋該孔洞的一底部；以及于該第一基底的該第二表面上形成一導電層，其中該導電層延伸進入該孔洞，且電性連接該第一基底中的一導電區或摻雜區。

本發明所述的晶片封裝體的形成方法，還包括：于該第一基底的該第二表面上形成一保護層，其中該保護層具有一開口，露出部分的該導電層；以及于露出的該導電層之上形成一導電凸塊。

本發明所述的晶片封裝體的形成方法，還包括切割該第一基底及該第二基底以形成至少一晶片封裝體。

本發明所述的晶片封裝體的形成方法，還包括：于該第二基底的一表面上形成一連接塊體；以及以該連接塊體連接該第一基底及該第二基底。

本發明所述的晶片封裝體的形成方法，其中，該連接塊體直接接合該支撐塊體。

本發明所述的晶片封裝體的形成方法，還包括于該第一基底與該第二基底之間設置至少一密封環結構，其中該密封環結構包圍該第一基底及/或該第二基底上的一元件區。

本發明所述的晶片封裝體的形成方法，其中，該密封環結構于將該連接塊體直接接合該支撐塊體的步驟時形成。

本發明所述的晶片封裝體的形成方法，其中，在形成該孔洞之前，還包括薄化該第一基底。

本發明所述的晶片封裝體的形成方法，還包括于該第一基底與該第二基底之間設置至少一輔助支撐結構。

本發明所述的晶片封裝體的形成方法，其中，該第一基底及該第二基底為兩半導體晶圓。

本發明所述的晶片封裝體的形成方法，還包括于該第一基底與該第二基底之間設置一晶圓邊緣密封環，該晶圓邊緣密封環、該第一基底及該第二基底共同形成一空腔。

本發明可提升晶片封裝體的可靠度。

附圖說明

圖1A-1I顯示根據本發明一實施例的晶片封裝體的制程剖面圖。