[發(fā)明專利]用于持續(xù)地將薄膜層淀積在襯底上的氣相淀積設(shè)備和過程無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110461636.2 | 申請日: | 2011-12-22 |
| 公開(公告)號: | CN102534510A | 公開(公告)日: | 2012-07-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | S·D·費(fèi)爾德曼-皮博迪;R·W·布萊克;E·J·利特爾;M·J·帕沃爾;C·拉思維格;M·W·里德 | 申請(專利權(quán))人: | 初星太陽能公司 |
| 主分類號: | C23C14/24 | 分類號: | C23C14/24 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 李強(qiáng);傅永霄 |
| 地址: | 美國科*** | 國省代碼: | 美國;US |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 持續(xù) 薄膜 層淀積 襯底 氣相淀積 設(shè)備 過程 | ||
1.一種用于將升華的源材料(117)作為薄膜而氣相淀積在光生伏打(PV)模塊襯底(14)上的設(shè)備(100),所述設(shè)備包括:
淀積頭(110);
設(shè)置在所述淀積頭(110)中的容器(116),其中,所述容器(116)構(gòu)造成接收粒狀源材料(117);
加熱系統(tǒng)(115),其構(gòu)造成加熱所述容器(116),以使所述源材料(117)升華;以及,
設(shè)置在所述容器(116)和基本沿豎向被傳送通過所述設(shè)備(100)的襯底(14)之間的基本豎向的分配板(152),其中,所述分配板(152)定位在距所述襯底(14)的淀積表面的豎向傳送平面規(guī)定距離處,所述分配板(152)包括通過其中的一定型式的通道,所述通道分配所述升華的源材料(119),以使其淀積到所述襯底(14)的所述淀積表面上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備(100),其特征在于,所述設(shè)備(100)進(jìn)一步包括:
構(gòu)造成將所述源材料(117)供應(yīng)給所述容器(116)的進(jìn)料系統(tǒng)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的設(shè)備(100),其特征在于,所述進(jìn)料系統(tǒng)包括構(gòu)造成將所述源材料(117)供應(yīng)給所述容器(116)的進(jìn)料管(148)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的設(shè)備(100),其特征在于,分配器(144)附連到所述進(jìn)料管(148)上,其中,所述分配器(144)構(gòu)造成將所述源材料(117)供應(yīng)給所述容器(116)。
5.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的設(shè)備(100),其特征在于,多個(gè)容器(116)設(shè)置在所述淀積頭(110)內(nèi)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的設(shè)備(100),其特征在于,所述容器(116)在所述淀積頭(110)內(nèi)以豎向布置基本對準(zhǔn)。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的設(shè)備(100),其特征在于,所述加熱系統(tǒng)構(gòu)造成獨(dú)立地加熱各個(gè)容器(116)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的設(shè)備(100),其特征在于,所述加熱系統(tǒng)包括多個(gè)加熱元件(115),其中,各個(gè)容器(116)由至少一個(gè)加熱元件(115)加熱。
9.根據(jù)權(quán)利要求5至8中的任一項(xiàng)所述的設(shè)備(100),其特征在于,所述設(shè)備(100)進(jìn)一步包括:
多個(gè)熱電偶(122),其中,至少一個(gè)熱電偶(122)操作地定位成監(jiān)測各個(gè)容器(116)的溫度。
10.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的設(shè)備(100),其特征在于,所述設(shè)備(100)進(jìn)一步包括:
定位在所述淀積頭(110)內(nèi)且在所述襯底(14)的下方的冷阱(153),其中,所述冷阱(153)構(gòu)造成收集偏離的源蒸氣(119)。
11.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的設(shè)備(100),其特征在于,所述設(shè)備(100)進(jìn)一步包括:
設(shè)置在所述容器(116)和所述分配板(152)之間的受加熱的分配歧管(124),其中,所述受加熱的分配歧管(124)包括限定成通過其中的多個(gè)通道(126),其中,所述受加熱的分配歧管(124)構(gòu)造成被加熱到足以抑制源材料淀積到其上的程度。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的設(shè)備(100),其特征在于,所述設(shè)備(100)進(jìn)一步包括:
設(shè)置成鄰近所述分配歧管(124)的可動(dòng)遮板(136),所述遮板(136)包括通過其中的多個(gè)通道(138),在所述遮板(136)的第一位置上,所述多個(gè)通道(138)與所述分配歧管(124)中的所述通道(126)對準(zhǔn),以允許升華的源材料(119)穿過所述分配歧管(124),所述遮板(136)能夠運(yùn)動(dòng)到第二位置,在此位置上,所述遮板(136)阻擋升華的材料流過所述分配歧管(124)中的所述通道(126)。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





