[發明專利]用于磁化稀土永磁體的系統和方法在審
| 申請號: | 201110461416.X | 申請日: | 2011-12-23 |
| 公開(公告)號: | CN102568735A | 公開(公告)日: | 2012-07-11 |
| 發明(設計)人: | E·W·施陶特納;K·S·黑蘭;J·羅奇福德 | 申請(專利權)人: | 通用電氣公司 |
| 主分類號: | H01F6/04 | 分類號: | H01F6/04;H01F13/00 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 李強;譚祐祥 |
| 地址: | 美國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 磁化 稀土 永磁體 系統 方法 | ||
1.一種用于冷卻用于磁化設置在圓柱形結構內的磁體的超導材料的系統,所述系統包括:
第一管道系統,其用于允許冷卻氣與高場強超導材料相互作用,以對所述高場強超導材料進行熱虹吸冷卻;
第二管道系統,其用于允許冷卻氣與低場強超導材料相互作用,以對所述低場強超導材料進行熱虹吸冷卻;以及
構造成流過所述第一管道系統和/或所述第二管道系統的呈液化形式的冷卻氣;
其中,所述第一管道系統的出口和所述第二管道系統的出口位于所述圓柱形結構的表面上的相同位置處。
2.根據權利要求1所述的系統,其特征在于,所述系統進一步包括構造成在所述冷卻氣流過所述第一管道系統和/或所述第二管道系統之前和之后保持所述冷卻氣的存儲器容器。
3.根據權利要求1所述的系統,其特征在于,至少一個高場強超導材料包括NbSn化合物和/或HTS化合物。
4.根據權利要求1所述的系統,其特征在于,所述冷卻氣包括氦、氫、氖和/或氮,其中,基于高場強超導材料的類型來提供所述冷卻氣。
5.根據權利要求1所述的系統,其特征在于,所述高場強超導材料和/或所述低場強超導材料包括跑道線圈構造。
6.一種用于冷卻用于磁化設置在圓柱形結構內的永磁體的超導材料的系統,所述系統包括:
構造成與構造成磁化所述永磁體的超導材料相互作用的毛細面板膜,所述超導材料包括高場強超導材料和低場強超導材料,所述毛細面板膜包括第一毛細面板膜和第二毛細面板膜,其分別與所述高場強超導材料和所述低場強超導材料相互作用;
構造成與所述毛細面板膜相互作用的冷卻液;以及
所述冷卻液橫穿其中的、與所述毛細面板膜連通的低溫冷卻器;
其中,當提供多個低溫冷卻器時,所述低溫冷卻器位于所述圓柱形結構的表面上的相同位置處;以及
其中,以重力的方式將所述冷卻液供給通過所述毛細面板膜,以提供所述低溫冷卻器對所述冷卻液的重新使用。
7.根據權利要求6所述的系統,其特征在于,所述系統進一步包括構造成在所述冷卻液流過所述毛細面板膜之前和之后保持所述冷卻液的存儲器容器。
8.根據權利要求6所述的系統,其特征在于,所述系統進一步包括與所述低溫冷卻器連通的液化翅,其中,所述冷卻液沿著所述液化翅橫穿到所述毛細面板膜。
9.一種用于冷卻用于磁化設置在圓柱形結構內的永磁體的超導材料的方法,所述方法包括:
提供用于允許冷卻氣與高場強超導材料相互作用的第一管道系統,以對所述高場強超導材料進行熱虹吸冷卻;
提供用于允許冷卻氣與低場強超導材料相互作用的第二管道系統,以對所述低場強超導材料進行熱虹吸冷卻;
將所述第一管道系統和所述第二管道系統的出口定位在所述圓柱形結構的表面上的相同位置處;
通過所述第一管道系統和/或所述第二管道系統來供給呈液化形式的冷卻氣,以至少冷卻所述高場強超導材料和/或所述低場強超導材料;以及
使所述冷卻氣返回到位置,以再次通過所述第一管道系統和/或所述第二管道系統來供給。
10.一種用于冷卻用于磁化設置在圓柱形結構內的永磁體的超導材料的方法,所述方法包括:
提供毛細面板膜來與用于磁化永磁體的超導材料相互作用,所述超導材料包括高場強超導材料和低場強超導材料,所述毛細面板膜包括第一毛細面板膜和第二毛細面板膜,其分別與所述高場強超導材料和所述低場強超導材料相互作用;
將用于所述毛細面板膜和/或低溫冷卻器的出口定位在所述圓柱形結構的表面上的相同位置處,所述低溫冷卻器與所述毛細面板膜一起運行,以及其中,所述毛細面板膜和/或所述低溫冷卻器與所述超導材料相關聯,當提供多個其它超導材料時,其它出口也一樣;
供給呈液化形式的冷卻氣來與所述超導材料相互作用,以冷卻所述超導材料;以及
以重力的方式將所述呈液化形式的冷卻氣供給通過所述毛細面板膜,以重新使用所述冷卻氣。
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