[發明專利]有機電致發光顯示裝置及其制造方法有效
| 申請號: | 201110461314.8 | 申請日: | 2011-12-30 |
| 公開(公告)號: | CN102646695A | 公開(公告)日: | 2012-08-22 |
| 發明(設計)人: | 樸容佑 | 申請(專利權)人: | 三星移動顯示器株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L21/77;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司 11204 | 代理人: | 余朦;王艷春 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 電致發光 顯示裝置 及其 制造 方法 | ||
技術領域
本發明涉及有機電致發光顯示裝置及其制造方法,尤其涉及可以防止由光引起的穩定性下降的有機電致發光顯示裝置及其制造方法。
背景技術
AMOLED(Active?Matrix?Organic?Light-Emitting?Diode)面板是指,使電流通過作為自發光器件的有機發光器件(Organic?Light-Emitting?Diode,簡稱為OLED)從而發光的面板。
例如,圖1圖示了使用有機發光器件的有機電致發光顯示裝置。即,基板上依次形成有柵電極、半導體層、源電極以及漏電極,并且還形成有覆蓋其上部的像素限定膜。此時,對于背面發光的情況,若由像素區域上部的有機發光器件發光,則光經過透明基板發射至外部。
但是,若這種有機發光器件在一定時間內持續發光,則隨著時間的流逝,即使讓相同的電流持續通過,也會導致發光的量減少或者錯誤操作的次數增加,從而會發生穩定性下降的問題。
其原因在于,尤其對于使用氧化物半導體的有機電致發光顯示裝置,因有機發光器件的自發光而使得對水分以及熱量較敏感的氧化物半導體發生劣化,進而導致光穩定性下降。
因此,需要改善因劣化而導致的氧化物半導體穩定性下降的現象。
發明內容
本發明所要解決的問題在于,提供有機電致發光顯示裝置及其制造方法,所述有機發光顯示裝置通過防止由光引起的劣化,從而提高氧化物半導體層的器件穩定性。
本發明所要解決的另一問題在于,提供有機電致發光顯示裝置及其制造方法,所述有機發光顯示裝置在像素限定膜的上部還包括具有阻光效果的光阻斷層,從而提高氧化物半導體層的器件穩定性。
本發明所要解決的技術問題并不局限于上述的技術問題,所屬技術領域的技術人員能夠理解由下述技術延伸的其他未提及的技術問題。
為了實現所述技術問題,根據本發明一實施例的有機電致發光顯示裝置包括:具有像素區域以及晶體管區域的基板;分別形成于所述基板的像素區域以及晶體管區域上的透明電極;形成于所述透明電極的上部的柵電極;形成于所述柵電極的上部的柵絕緣膜;形成于所述柵絕緣膜的上部的半導體層;一端與所述半導體層連接的、另一端與所述像素區域的透明電極連接的源/漏電極;覆蓋所述源/漏電極的上部的、形成有開口部以使所述透明電極向外部露出從而限定所述像素區域的像素限定膜;以與所述像素限定膜相同的圖案形成于所述像素限定膜的上部的光阻斷層;以及在所述開口部形成于所述透明電極的上部的有機發光層。
為了實現所述技術問題,根據本發明另一實施例的有機電致發光顯示裝置包括:具有像素區域以及晶體管區域的基板;分別形成于所述基板的像素區域以及晶體管區域上的透明電極;形成于所述透明電極的上部的柵電極;形成于所述柵電極的上部的柵絕緣膜;形成于所述柵絕緣膜的上部的半導體層;一端與所述半導體層連接的、另一端與所述像素區域的透明電極連接的源/漏電極;覆蓋所述源/漏電極的上部的、形成有開口部以使所述透明電極向外部露出從而限定所述像素區域的第一像素限定膜;以與所述第一像素限定膜相同的圖案形成于所述第一像素限定膜的上部的光阻斷層;形成于所述第一像素限定膜以及光阻斷層的上部的第二像素限定膜;以及在所述開口部形成于所述透明電極的上部的有機發光層;其中,相比所述第一像素限定膜以及第二像素限定膜,所述光阻斷層的端部向遠離所述開口部的中心的方向縮進。
為了實現所述技術問題,根據本發明一實施例的有機電致發光顯示裝置的制造方法包括:在基板上部的像素區域以及晶體管區域上形成透明電極;在所述晶體管區域的透明電極上部形成柵電極;在所述晶體管區域的上部形成半導體層;在所述半導體層的上部形成源/漏電極,所述源/漏電極的一端與所述半導體層連接、另一端與所述像素區域上的透明電極連接;形成像素限定膜,所述像素限定膜覆蓋所述源/漏電極的上部;在所述像素限定膜形成開口部以使所述像素區域上的透明電極向外部露出;在所述像素限定膜的上部以與所述像素限定膜相同的圖案形成光阻斷層;以及在所述開口部的所述透明電極的上部形成有機發光層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





