[發(fā)明專利]硅單晶錠的制造方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110461265.8 | 申請日： | 2011-12-26 |
| 公開（公告）號： | CN102560622A | 公開（公告）日： | 2012-07-11 |
| 發(fā)明（設計）人： | 加藤英生;村上英明 | 申請（專利權）人： | 硅電子股份公司 |
| 主分類號： | C30B15/00 | 分類號： | C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人： | 過曉東 |
| 地址： | 德國*** | 國省代碼： | 德國;DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 硅單晶錠 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.用于制造硅單晶錠的方法，其包括以下步驟：用多晶硅裝填坩堝的裝填步驟，使裝填的多晶硅熔化以在坩堝中形成硅熔體的熔化步驟，及使種晶與硅熔體接觸并提拉接觸的種晶以使錠生長的提拉步驟，其中在裝填步驟中，通過將多個多晶硅塊隨機地裝入坩堝從而用多晶硅裝填坩堝，所述多晶硅塊是大尺寸的多晶硅塊。
2.根據權利要求1的用于制造硅單晶錠的方法，其中大尺寸的多晶硅塊由尺寸為至少20mm的多晶硅塊組成，而且大尺寸的多晶硅塊包括尺寸為大于50mm的多晶硅塊和尺寸為20mm至50mm的多晶硅塊中的至少一種多晶硅塊。
3.根據權利要求2的用于制造硅單晶錠的方法，其中裝入的多晶硅塊至少包括尺寸為大于50mm的多晶硅塊。
4.根據權利要求2的用于制造硅單晶錠的方法，其中裝入的多晶硅塊至少包括尺寸為20mm至50mm的多晶硅塊。
5.根據權利要求2的用于制造硅單晶錠的方法，其中大尺寸的多晶硅塊由尺寸為大于50mm的多晶硅塊和尺寸為20mm至50mm的多晶硅塊組成，尺寸為大于50mm的多晶硅塊的含量為70重量％，而尺寸為20mm至50mm的多晶硅塊的含量為30重量％。
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