[發明專利]冗余金屬填充方法和集成電路版圖結構

有效

• 申請號: 201110460698.1
• 申請日: 2011-12-31
• 公開（公告）號: CN102543853A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 馬天宇;陳嵐;方晶晶
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L27/02
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 逯長明;李玉秋

1.一種冗余金屬填充方法，其特征在于，包括步驟：

提供待填充集成電路版圖，所述集成電路版圖包括至少一個金屬結構層；

根據每個所述金屬結構層的圖形確定需要填充冗余金屬的區域，所述區域分布有互連線；

在所述區域填充若干個冗余金屬，所述若干個冗余金屬中，包括第一冗余金屬和第二冗余金屬，每個所述第一冗余金屬的填充面積大于每個所述第二冗余金屬的填充面積，所述第二冗余金屬位于所述第一冗余金屬與所述互連線之間。

2.根據權利要求1所述的冗余金屬填充方法，其特征在于，所述區域的邊緣分布有多個互連線，在所述區域的中部填充一個所述第一冗余金屬和多個面積相等的第二冗余金屬，所述第一冗余金屬與每個互連線之間都包括所述第二冗余金屬。

3.根據權利要求1所述的冗余金屬填充方法，其特征在于，所述區域的邊緣分布有多個互連線，在所述區域的中部填充多個面積相等的所述第一冗余金屬和多個面積相等的所述第二冗余金屬，每個面積相等的所述第一冗余金屬與每個互連線之間都包括所述面積相等的第二冗余金屬。

4.根據權利要求1所述的冗余金屬填充方法，其特征在于，所述區域的邊緣分布有一個互連線，在所述區域的中部填充一個所述第一冗余金屬和多個面積相等的所述第二冗余金屬，所述多個面積相等的第二冗余金屬位于所述第一冗余金屬與所述一個互連線之間。

5.根據權利要求1至4任一項所述的冗余金屬填充方法，其特征在于，在所述區域填充長方形第一冗余金屬和/或正方形第二冗余金屬。

6.根據權利要求1至4任一項所述的冗余金屬填充方法，其特征在于，所述根據每個所述金屬結構層的圖形確定互連線等效厚度與沉積厚度差大于設定值的區域為需要填充冗余金屬的區域。

7.一種集成電路版圖結構，其特征在于，包括至少一個金屬結構層和若干個冗余金屬，其中，

所述金屬結構層中包括需要填充冗余金屬的區域，所述區域包括互連線；

所述若干個冗余金屬位于所述區域內，所述若干個冗余金屬中包括第一冗余金屬和第二冗余金屬，每個所述第一冗余金屬的填充面積大于每個所述第二冗余金屬的填充面積，所述第二冗余金屬位于所述第一冗余金屬與所述互連線之間。

8.根據權利要求7所述的集成電路版圖結構，其特征在于，所述區域的邊緣分布有多個互連線，在所述區域的中部包括一個所述第一冗余金屬和多個面積相等的第二冗余金屬，所述第一冗余金屬與每個互連線之間都包括所述第二冗余金屬。

9.根據權利要求7所述的集成電路版圖結構，其特征在于，所述區域的邊緣分布有多個互連線，在所述區域的中部包括多個面積相等的所述第一冗余金屬和多個面積相等的所述第二冗余金屬，每個面積相等的所述第一冗余金屬與每個互連線之間都包括所述面積相等的第二冗余金屬。

10.根據權利要求7所述的集成電路版圖結構，其特征在于，所述區域的邊緣分布有一個互連線，在所述區域的中部包括一個所述第一冗余金屬和多個面積相等的所述第二冗余金屬，所述多個面積相等的第二冗余金屬位于所述第一冗余金屬與所述一個互連線之間。