[發明專利]焊料、焊接方法和半導體器件有效
| 申請號： | 201110460651.5 | 申請日： | 2011-12-31 |
| 公開（公告）號： | CN102615446A | 公開（公告）日： | 2012-08-01 |
| 發明（設計）人： | 赤松俊也;今泉延弘;作山誠樹;上西啟介;中西徹洋 | 申請（專利權）人： | 富士通株式會社 |
| 主分類號： | B23K35/26 | 分類號： | B23K35/26;H05K3/34;H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 顧晉偉;王春偉 |
| 地址： | 日本神*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 焊料 焊接 方法 半導體器件 | ||
1.一種焊料，包含：
Sn(錫)；
Bi(鉍)；和
Zn(鋅)，
其中所述焊料具有0.01wt％至0.1wt％的Zn含量。
2.根據權利要求1所述的焊料，其中所述焊料具有45wt％至65wt％的Bi含量。
3.根據權利要求1所述的焊料，還包括：
0.3wt％至0.8wt％的Sb(銻)
4.一種用于將電子元件焊接到襯底的焊接方法，所述方法包括如下步驟：
將焊料附著在所述電子元件和所述襯底上的導電圖案之間，所述焊料被加熱到等于或高于所述焊料的熔點的溫度；
使所述焊料冷卻至低于所述熔點并且高于室溫的溫度，并將所述焊料在所述溫度保持預定的時間段；和
使所述焊料冷卻到室溫，
其中所述焊料包含Sn(錫)、Bi(鉍)和Zn(鋅)，并且所述焊料具有0.01wt％至0.1wt％的Zn含量。
5.根據權利要求4所述的焊接方法，其中所述焊料還含有0.3wt％至0.8wt％的Sb(銻)。
6.一種電子設備，包括：
焊料，所述焊料構成電子元件和襯底之間的連接，
其中所述焊料包含45wt％至65wt％的Bi(鉍)、0.01wt％至0.1wt％的Zn(鋅)、0.3wt％至0.8wt％的Sb(銻)和Sn(錫)。
7.一種半導體器件，包括：
半導體芯片；
封裝襯底，所述封裝襯底包括布置在所述封裝襯底的每個表面上的導電圖案；
第一焊料，所述第一焊料布置在所述封裝襯底的一個表面和所述半導體芯片之間，所述第一焊料將所述半導體芯片連接到所述封裝襯底；和
第二焊料，所述第二焊料連接到布置在所述封裝襯底的另一表面上的所述導電圖案，
其中所述第一焊料的熔點高于所述第二焊料的熔點，所述第二焊料包含Sn(錫)、Bi(鉍)和Zn(鋅)，并且所述第二焊料具有0.01wt％至0.1wt％的Zn含量。
8.根據權利要求7所述的半導體器件，其中所述第二焊料還包含0.3wt％至0.8wt％的Sb(銻)。
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