[發明專利]防靜電性能優異的離型膜及其制造方法無效
| 申請號: | 201110460486.3 | 申請日: | 2011-12-28 |
| 公開(公告)號: | CN102582174A | 公開(公告)日: | 2012-07-18 |
| 發明(設計)人: | 皇甫绤;金義城;裴鐘佑 | 申請(專利權)人: | 栗村化學株式會社 |
| 主分類號: | B32B27/06 | 分類號: | B32B27/06;B32B33/00;B32B37/15 |
| 代理公司: | 北京中北知識產權代理有限公司 11253 | 代理人: | 楊雪松 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 靜電 性能 優異 離型膜 及其 制造 方法 | ||
1.包含基材膜及離型層的離型膜,上述的離型膜是包括含有粘著劑和防靜電劑的防靜電層的離型膜。
2.根據權利要求1所述的離型膜,上述的防靜電層中,相對于粘著劑的重量5~25份,防靜電劑的重量為1~30份。
3.根據權利要求1或者2所述的離型膜,上述的防靜電劑從聚乙炔、聚對苯撐乙烯撐(p-Phenylene?Vinylene)、聚對苯(p-Phenylene)、聚噻吩乙烯撐(Thienylene?Vinylene)、聚噻吩、聚苯胺、聚乙烯二氧噻吩、聚異苯并噻吩、聚吡咯、及聚苯硫醚(p-Phenylene?Sulfide)構成的群中選擇1種以上。
4.根據權利要求1或者2所述的離型膜,上述的防靜電層的厚度為10nm~10μm。
5.根據權利要求1或者2所述的離型膜,上述的離型層是有機硅離型層。
6.根據權利要求1或者2所述的離型膜,上述的離型層的厚度為0.05~1μm。
7.根據權利要求1或者2所述的離型膜,上述的防靜電層在基材膜的一面或者兩面上形成,上述的離型層可以在上述的防靜電層上形成,或者在上述形成防靜電層的基材膜的一面和相反一面形成。
8.包含基材膜及離型層的離型膜的制造方法,包含在基材膜的一面或者兩面涂布含有粘著劑和防靜電劑的防靜電混合物、形成防靜電層的步驟。
9.根據權利要求8所述的離型膜的制造方法,其中上述的防靜電混合物的重量作為100份的話,粘著劑的重量占5~25份,防靜電劑的重量占1~30份,醇類的重量占5~30份,水的重量占10~50份。
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