[發(fā)明專利]二氧化硅去除溶液及其制備方法和應(yīng)用有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110460354.0 | 申請(qǐng)日： | 2011-12-31 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN103184113A | 公開(kāi)（公告）日： | 2013-07-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 金波;董志剛 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 北大方正集團(tuán)有限公司;深圳方正微電子有限公司 |
| 主分類號(hào)： | C11D7/26 | 分類號(hào)： | C11D7/26;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京同達(dá)信恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291 | 代理人： | 郭紅麗 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 國(guó)省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 二氧化硅 去除 溶液 及其 制備 方法 應(yīng)用 | ||
1.一種二氧化硅去除溶液，其特征在于，以質(zhì)量百分比計(jì)，含有24.0％～40.0％醋酸、3.4％～7.3％氫氟酸、16.0％～27.0％氟化銨，余量為水。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二氧化硅去除溶液，其特征在于，含有31.9％～40.0％醋酸、3.4％～4.5％氫氟酸、23.6％～27.0％氟化銨。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的二氧化硅去除溶液，其特征在于，含有31.9％醋酸、4.3％氫氟酸、23.6％氟化銨。
4.制備權(quán)利要求1所述的二氧化硅去除溶液的方法，其特征在于，通過(guò)混合醋酸、氫氟酸、氟化銨和水而制備所述的二氧化硅去除溶液。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，通過(guò)混合質(zhì)量百分比濃度為99％的醋酸、質(zhì)量百分比濃度為49％的氫氟酸、質(zhì)量百分比濃度為40％的氟化銨溶液來(lái)制備所述的二氧化硅去除溶液。
6.權(quán)利要求1或2所述的二氧化硅去除溶液在半導(dǎo)體芯片中的應(yīng)用。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的應(yīng)用，其特征在于，將所述半導(dǎo)體芯片在所述二氧化硅去除溶液中浸泡。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的應(yīng)用，其特征在于，將所述半導(dǎo)體芯片在所述二氧化硅去除溶液中浸泡6～8分鐘。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的應(yīng)用，其特征在于，所述二氧化硅去除溶液去除所述半導(dǎo)體芯片中覆蓋鋁層的鈍化層中的二氧化硅層以及鋁層之間的二氧化硅層。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的應(yīng)用，其特征在于，包括以下步驟：
(1)去除半導(dǎo)體芯片的鈍化層中的氮化硅層；
(2)去除半導(dǎo)體芯片中覆蓋鋁層的鈍化層中的二氧化硅層以及鋁層之間的二氧化硅層。
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