[發明專利]具有平滑表面的半導體結構和用于獲得該結構的處理

有效

• 申請號: 201110460207.3
• 申請日: 2011-12-31
• 公開（公告）號: CN102629556A
• 公開（公告）日: 2012-08-08
• 發明（設計）人: M·布魯爾
• 申請（專利權）人: 索泰克公司
• 主分類號: H01L21/302
• 分類號: H01L21/302;H01L23/00
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;張旭東

1.一種用于使半導體晶圓的表面平滑的處理，所述處理包括通過利用熔融束掃描所述表面使所述表面熔融，其特征在于，所述處理包括：

定義基準長度；

調整所述熔融束的參數，從而在對所述表面的掃描期間，使所述晶圓的長度大于或等于所述基準長度的局部表面區域熔融，

如此執行的熔融使得可以平滑所述表面，從而消除周期小于所述基準長度的表面粗糙度。

2.根據前述權利要求所述的處理，其特征在于，在觀測所述晶圓的表面的粗糙度分布以及根據在所述晶圓的表面上觀測的粗糙度頻率的分布識別截止頻率之后，進行所述定義基準長度的步驟。

3.根據權利要求1所述的處理，其特征在于，在確定代表要在所述晶圓的表面區域中構建的器件的基準尺寸之后，進行所述定義基準長度的步驟，所述基準長度大于或等于所述基準尺寸。

4.根據前述權利要求中的任何一項所述的處理，其特征在于，所述熔融包括熔融所述晶圓的局部區域，并且所述熔融束是能夠熔化所述晶圓的表面區域的能量束。

5.根據前述權利要求中的任何一項所述的處理，其特征在于，所述熔融包括將熔化材料饋送到所述晶圓的所述局部區域上，并且所述熔融束用在所述晶圓的表面上的熔化材料的饋送流的截面來限定。

6.根據前述權利要求中的任何一項所述的處理，其特征在于，所述熔融束的所述參數包括所述束的移動速度。

7.根據前述權利要求的任何一項以及結合權利要求4所述的處理，其特征在于，所述熔融束的參數包括所述束的功率密度。

8.根據前述三項權利要求中的任何一項以及結合權利要求5所述的處理，其特征在于，所述熔融束的所述參數包括熔化材料的饋送流的流速。

9.一種半導體晶圓，所述半導體晶圓包括由半導體材料制成的表面層，其特征在于，所述層的表面已經經受根據前述權利要求中的任何一項所述的處理，并且所述表面不呈現任何周期小于所述基準長度的粗糙度。