[發明專利]一種混合線條的制造方法

無效

• 申請號: 201110459836.4
• 申請日: 2011-12-31
• 公開（公告）號: CN103187246A
• 公開（公告）日: 2013-07-03
• 發明（設計）人: 唐波;閆江
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;G03F7/00;G03F7/20
• 代理公司: 北京漢昊知識產權代理事務所(普通合伙) 11370
• 代理人: 朱海波

1.一種混合線條的制造方法，該方法包括以下步驟：

a)在底層(10)上依次形成材料層(20)和硬掩模層(30)；

b)在所述硬掩模層(30)上依次形成第一光刻膠層(40)、抗反射層(50)以及第二光刻膠層(60)；

c)使用光學曝光對所述第二光刻膠層(60)曝光并進行顯影，形成第一光刻膠圖形(60a)，并以所述第一光刻膠圖形(60a)為掩模，對所述抗反射層(50)進行刻蝕，以暴露所述第一光刻膠層(40)；

d)使用電子束曝光對所述第一光刻膠層(40)曝光并進行顯影，形成第二光刻膠圖形(40b)，并以所述第一光刻膠圖形(60a)和所述第二光刻膠圖形(40b)為掩模，對所述掩模層(30)刻蝕形成第一硬掩模圖形(30a)和第二硬掩模圖形(30b)；

e)以所述第一硬掩模圖形(50a)和第二硬掩模圖形(30b)為掩模，刻蝕所述材料層(20)，形成第一線條(20a)和第二線條(20b)。

2.根據權利要求1所述的制造方法，其中，所述第一線條(20a)的線條寬度寬于第二線條(20b)的線條寬度。

3.根據權利要求1或2所述的制造方法，其中，所述第二線條(20b)的線條寬度小于20nm。

4.根據權利要求1或2所述的制造方法，還包括：

根據待形成線條的尺寸，形成用于光學曝光的光刻掩模版(M1)和第二光刻圖形(M2)。

5.根據權利要求4所述的制造方法，其中：

使用第一光刻掩模版(M1)在第一光源下對所述第二光刻膠層(60)進行曝光，其中，所述第一光源包括i線光源、g線光源、深紫外光源、X射線光源中的一種或其任意組合。

6.根據權利要求4所述的制造方法，其中，所述步驟d)包括：

使用第二光刻圖形(M2)在第二光源下對所述第一光刻膠層(40)進行曝光，其中，所述第二光源為電子束光源。

7.根據權利要求1所述的制造方法，其中：

所述抗反射層(50)包括有機物BARC。

8.根據權利要求1、2、5、6或7所述的制造方法，還包括：

在所述底層(10)與所述材料層(20)之間形成墊層(11)。

9.根據權利要求1、2、5、6或7所述的制造方法，其中：

在形成所述第二光刻膠圖形(40b)后，進行圖形檢查和關鍵尺寸測量。

10.根據權利要求1、2、5、6或7所述的制造方法，其中，所述底層(10)的材料包括半導體或絕緣體。

11.根據權利要求1、2、5、6或7所述的制造方法，其中：

所述材料層(20)的材料包括金屬、金屬氮化物、單晶硅、多晶硅、氮化硅中的一種或其任意組合。

12.根據權利要求1、2、5、6或7所述的制造方法，其中：

所述硬掩模層(30)包括LTO、PETEOS、PESIN中的一種或其任意組合。

13.根據權利要求1、2、5、6或7所述的制造方法，其中，各步刻蝕采用等離子體干法刻蝕。