[發明專利]固結金剛石線切割單晶硅片的制絨方法

無效

• 申請號: 201110459800.6
• 申請日: 2011-12-31
• 公開（公告）號: CN103184525A
• 公開（公告）日: 2013-07-03
• 發明（設計）人: 葉俊;趙芳芳;趙宇
• 申請（專利權）人: 上海晶太光伏科技有限公司
• 主分類號: C30B33/10
• 分類號: C30B33/10
• 代理公司: 上海精晟知識產權代理有限公司 31253
• 代理人: 馬家駿

技術領域

本發明涉及一種制絨方法，特別涉及一種固結金剛石線切割單晶硅片的制絨方法。

背景技術

我國光伏制造業這兩年高速發展，產能不斷擴充，目前已經占據了全球生產總量的50％以上；但目前的光伏發電難以平價上網，成為制約我國光伏發電市場大規模商業化的關鍵。實現平價上網最現實的途徑，是發展高效、低成本的電池技術。由于金剛石切割技術具有切割效率高、面形精度好和環境清潔等優點，因此受到越來越廣泛地關注。硅片采用金剛石線切割取代傳統的鋼線和砂漿切割方式，是切割技術革命性進步，也是硅片加工成本下降的最重要途徑。

固結金剛石線切割技術優勢明顯，但給下游客戶使用工藝帶來了一些難題，因為金剛線采用固定磨粒切割方式，鋸齒不能均勻分布，切出硅片表面比較光亮，線痕明顯；用現有的制絨工藝做出的硅片表面狀態差，線痕殘留，色差大，常常造成產品降級；因此如何開發出能與金剛石切割硅片相配套的制絨工藝將是這種先進的切割工藝能否推廣的關鍵。

因此，特別需要一種固結金剛石線切割單晶硅片的制絨方法，已解決上述現有存在的問題。

發明內容

本發明的目的在于提供一種固結金剛石線切割單晶硅片的制絨方法，針對現有技術的不足，在不影響產量的前提下，很好的解決了固結金剛石線切割單晶硅片對制絨工序帶來一系列問題，工藝簡單，易于操作，實用性強。

本發明所解決的技術問題可以采用以下技術方案來實現：

一種固結金剛石線切割單晶硅片的制絨方法，其特征在于，它包括如下步驟：

(a)采用氧化劑和強堿混合溶液制成粗拋液對固結金剛石線切割單晶硅片進行粗拋，即對固結金剛石線切割單晶硅片上的對線痕片進行預處理；

(b)將上述單晶硅片放入制絨液中進行制絨，得到良好的表面和絨面的單晶硅片。

在本發明的一個實施例中，所述氧化劑為過氧化物，所述氧化劑的體積百分比含量為1-5％。

進一步，所述過氧化物為過氧化氫或過氧化叔丁醇。

在本發明的一個實施例中，所述強堿為NaOH或KOH，所述強堿的重量百分比含量為1-15％。

在本發明的一個實施例中，所述預處理的溫度為75-85℃。

在本發明的一個實施例中，所述預處理的時間為5-200秒。

本發明的固結金剛石線切割單晶硅片的制絨方法，與現有技術相比，在不影響產量的情況下，很好的解決了絨面異常及外觀不良等問題，效果顯著，工藝簡單，實用性強，實現本發明的目的。

本發明的特點可參閱本案圖式及以下較好實施方式的詳細說明而獲得清楚地了解。

附圖說明

圖1為現有制絨工藝下傳統鋼線切割的硅片制絨后的絨面示意圖；

圖2為現有制絨工藝下金剛石線切割的硅片制絨后的絨面示意圖；

圖3為本發明的實施例2金剛石線切割的硅片制絨后的絨面示意圖；

圖4為本發明的實施例3金剛石線切割的硅片制絨后的絨面示意圖。

具體實施方式

為了使本發明實現的技術手段、創作特征、達成目的與功效易于明白了解，下面結合具體圖示，進一步闡述本發明。

本發明的固結金剛石線切割單晶硅片的制絨方法，它包括如下步驟：

(a)采用氧化劑和強堿混合溶液制成粗拋液對固結金剛石線切割單晶硅片進行粗拋，即對固結金剛石線切割單晶硅片上的對線痕片進行預處理；

(b)將上述單晶硅片放入制絨液中進行制絨，得到良好的表面和絨面的單晶硅片。

在本發明中，所述氧化劑為過氧化物，所述氧化劑的體積百分比含量為1-5％；所述過氧化物為過氧化氫或過氧化叔丁醇。

在本發明中，所述強堿為NaOH或KOH，所述強堿的重量百分比含量為1-15％。

在本發明中，所述預處理的溫度為75-85℃。

在本發明中，所述預處理的時間為5-200秒。

對比例1

采用的硅片是156*156的P型單晶硅片。

粗拋：選擇NaOH與水配制混合溶液，NaOH的濃度為15％，粗拋溫度為85℃，粗拋時間為120秒，粗拋后漂洗。

制絨：以上粗拋后的硅片進入制絨槽，制絨時溫度為80℃，制絨液濃度為1.3％，制絨時加入添加劑和異丙醇，用來調節絨面。

經以上制絨工藝得到的硅片，光學顯微鏡下觀察絨面，金字塔大小為1-3um，但外觀仍存在明顯線痕。所得絨面參見圖1和圖2。

實施例1

采用的硅片是156*156的P型單晶硅片。