[發明專利]晶片加熱器及電子遷移率檢測裝置有效
| 申請號： | 201110459681.4 | 申請日： | 2011-12-31 |
| 公開（公告）號： | CN103187401A | 公開（公告）日： | 2013-07-03 |
| 發明（設計）人： | 張莉菲 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/544 | 分類號： | H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 駱蘇華 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 晶片 加熱器 電子 遷移率 檢測 裝置 | ||
1.一種晶片加熱器，其特征在于，包括：
硅穿孔；所述硅穿孔內填充導電材質；
位于硅穿孔兩端的第一金屬層與第二金屬層；其中，所述第一金屬層包埋在所述晶片內，所述第二金屬層暴露在所述晶片表面。
2.根據權利要求1所述的晶片加熱器，其特征在于，所述導電材質為多晶硅或金屬。
3.根據權利要求1或2所述的晶片加熱器，其特征在于，所述第二金屬層為金屬重分布層。
4.根據權利要求1或2所述的晶片加熱器，其特征在于，所述晶片加熱器用于對晶片上的待檢測器件進行加熱，所述待檢測的器件周圍設置多個所述晶片加熱器。
5.根據權利要求4所述的晶片加熱器，其特征在于，多個所述晶片加熱器與待檢測的器件等距離。
6.根據權利要求4所述的晶片加熱器，其特征在于，多個所述晶片加熱器圍繞待檢測的器件呈兩圈設置。
7.根據權利要求4所述的晶片加熱器，其特征在于，多個所述晶片加熱器中，相鄰的晶片加熱器的第一金屬層或第二金屬層首尾連接。
8.根據權利要求7所述的晶片加熱器，其特征在于，位于首或尾的第一金屬層與高壓電源連接，位于尾或首的第二金屬層接地。
9.根據權利要求8所述的晶片加熱器，其特征在于，所述位于首或尾的第一金屬層與所述高壓電源之間串聯有電阻。
10.根據權利要求1所述的晶片加熱器，其特征在于，還設置有用于測量晶片上待檢測器件的溫度傳感器。
11.根據權利要求1所述的晶片加熱器，其特征在于，所述第一金屬層材質為銅或鋁，所述第二金屬層材質也為銅或鋁。
12.一種電子遷移率檢測裝置，其特征在于，包含權利要求1-11中任意一項所述的晶片加熱器。
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