[發明專利]鰭式場效應晶體管的形成方法

有效

• 申請號: 201110459397.7
• 申請日: 2011-12-31
• 公開（公告）號: CN103187296A
• 公開（公告）日: 2013-07-03
• 發明（設計）人: 卜偉海;劉金華
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種鰭式場效應晶體管的形成方法，其特征在于，包括：

提供襯底，所述襯底上形成有第一鰭結構和柵結構，且所述柵結構橫跨所述第一鰭結構；

在所述柵結構上形成硬質掩膜層；

在所述柵結構和所述硬質掩膜層兩側的側壁上形成側墻，所述柵結構和所述側墻覆蓋所述第一鰭結構并暴露出所述第一鰭結構的兩端；

去除暴露出的所述第一鰭結構的兩端；以及

在所述柵結構和所述側墻兩側形成第二鰭結構，所述第二鰭結構和保留的部分第一鰭結構形成鰭部。

2.如權利要求1所述的鰭式場效應晶體管的形成方法，其特征在于，所述第二鰭結構通過選擇性外延生長工藝形成。

3.如權利要求2所述的鰭式場效應晶體管的形成方法，其特征在于，所述選擇性外延生長工藝的溫度為600℃～900℃。

4.如權利要求1所述的鰭式場效應晶體管的形成方法，其特征在于，所述側墻和柵結構兩側第二鰭結構長度為50nm～90nm。

5.如權利要求1所述的鰭式場效應晶體管的形成方法，其特征在于，暴露出的所述第一鰭結構的兩端通過干法刻蝕去除。

6.如權利要求1所述的鰭式場效應晶體管的形成方法，其特征在于，還包括：

在去除暴露出的所述第一柵結構的兩端之后和形成所述第二鰭結構之前，對所述保留的部分第一鰭結構暴露的表層進行輕摻雜。

7.如權利要求1所述的鰭式場效應晶體管的形成方法，其特征在于，所述襯底包括體硅或絕緣體上硅。

8.如權利要求1所述的鰭式場效應晶體管的形成方法，其特征在于，所述柵結構包括：柵介電層和柵極。

9.如權利要求8所述的鰭式場效應晶體管的形成方法，其特征在于，所述柵介電層包括高K介電材料。

10.如權利要求9所述的鰭式場效應晶體管的形成方法，其特征在于，所述高K介電材料包括鉿基的高K介電材料。

11.如權利要求8所述的鰭式場效應晶體管的形成方法，其特征在于，所述柵極為金屬柵極。

12.如權利要求1所述的鰭式場效應晶體管的形成方法，其特征在于，所述硬質掩膜層包括氧化硅。

13.如權利要求1所述的鰭式場效應晶體管的形成方法，其特征在于，所述側墻包括氮化硅。

14.如權利要求1所述的鰭式場效應晶體管的形成方法，其特征在于，當所述鰭式場效應晶體管為PFET時，所述第二鰭結構的材料包括SiGe；當所述鰭式場效應晶體管為NFET時，所述第二鰭的材料包括Si。

15.如權利要求1所述的鰭式場效應晶體管的形成方法，其特征在于，還包括：

在形成所述第二鰭結構之后，沉積底部抗反射涂層覆蓋所述硬質掩膜層、側墻和第二鰭結構；刻蝕所述底部抗反射涂層，暴露所述硬掩膜層；去除所述硬質掩膜層；去除所述底部抗反射涂層；以及，對第二鰭結構進行源/漏區摻雜。