[發明專利]MOS晶體管及其制作方法

有效

• 申請號: 201110459388.8
• 申請日: 2011-12-31
• 公開（公告）號: CN103187273A
• 公開（公告）日: 2013-07-03
• 發明（設計）人: 趙猛
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/335
• 分類號: H01L21/335;H01L21/265;H01L29/772
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種MOS晶體管的制作方法，其特征在于，包括：

形成柵極；

利用柵極為掩模進行垂直離子注入；

在柵極的兩側形成側墻；

進行源漏離子注入形成源漏區；

所述垂直離子注入形成的離子注入區位于源漏區底部和溝道區底部，呈臺階狀分布，其中，位于所述溝道區底部的離子注入區高于位于所述源漏區底部的離子注入區。

2.如權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述垂直離子注入的能量為80～220KeV，劑量為1.0E12～1.0E13atom/cm²。

3.如權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述垂直離子注入的離子為：

對PMOS晶體管，注入離子為As、P中的一種；

對NMOS晶體管，注入離子為B、BF₂、In中的一種。

4.如權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在柵極形成好之后，垂直離子注入之前還包括輕摻雜漏離子注入和袋狀離子注入。

5.一種MOS晶體管，其特征在于，包括：

柵極；

位于柵極下方的溝道區；

位于溝道兩側的源漏區；

位于溝道區與源漏底部的離子注入區，所述離子注入區位于所述溝道區底部的部分高于其位于源漏區底部的部分而呈臺階狀。

6.如權利要求5所述的MOS晶體管，其特征在于，所述MOS晶體管為PMOS晶體管，所述離子注入區的注入離子為As、P中的一種。

7.如權利要求5所述的MOS晶體管，其特征在于，所述MOS晶體管為NMOS晶體管，所述離子注入區的注入離子為B、BF₂、In中的一種。