[發(fā)明專利]用于PDP的介質(zhì)保護(hù)層材料及其制備方法以及介質(zhì)保護(hù)層

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110459384.X
• 申請(qǐng)日: 2011-12-31
• 公開（公告）號(hào): CN103787587A
• 公開（公告）日: 2014-05-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 薛道齊;商紅凱;李海燕
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 四川虹歐顯示器件有限公司
• 主分類號(hào): C03C17/245
• 分類號(hào): C03C17/245;H01J11/40;H01J9/24
• 代理公司: 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240
• 代理人: 吳貴明;余剛

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及等離子顯示屏領(lǐng)域，尤其是涉及一種用于PDP的介質(zhì)保護(hù)層材料及其制備方法以及介質(zhì)保護(hù)層。

背景技術(shù)

等離子顯示屏(PDP)是一種使用氣體放電期間產(chǎn)生的等離子體激發(fā)熒光粉，以顯示圖像的顯示裝置。在等離子體顯示屏中包含前面板和后面板，兩者以相互對(duì)置的方式配置。在前面板中包括前面板基板，在其上形成條紋狀電極，并覆蓋電介質(zhì)層，進(jìn)而在電介質(zhì)層上再形成介質(zhì)保護(hù)層。

介質(zhì)保護(hù)層目前普遍使用MgO材料，其能夠引起輝光放電中的二次電子發(fā)射，從而降低放電電壓并且改善放電延遲。同時(shí)，MgO保護(hù)層具有較好的耐濺射性能，減小了驅(qū)動(dòng)等離子體顯示裝置的放電氣體放電時(shí)的離子沖擊，從而保護(hù)電介質(zhì)層。因此，從PDP發(fā)展的早期階段，MgO膜就作為電子發(fā)射層，然而隨著PDP的發(fā)展，大尺寸和高清晰度顯示器逐漸受到歡迎，因此降低顯示器的能耗成為主要問題。為此，應(yīng)當(dāng)進(jìn)一步提高保護(hù)膜的二次電子發(fā)射系數(shù)以降低放電起始電壓。另外，為了降低單掃描驅(qū)動(dòng)所需部件的成本，應(yīng)當(dāng)進(jìn)一步改善由外電子發(fā)射而引起的放電延遲。MgO介質(zhì)保護(hù)層的厚度通常為600～900nm，通常使用電子束蒸鍍或離子濺射等方法制作。

已知Auger中和導(dǎo)致了從MgO表面的次級(jí)電子發(fā)射。當(dāng)通過PDP放電產(chǎn)生的離子到達(dá)MgO的表面時(shí)，MgO的氧離子的2p電子軌道中的電子由于隧道效應(yīng)引起與離子的中和。此時(shí)產(chǎn)生的能量被傳送到價(jià)帶內(nèi)存在的電子，從而向外發(fā)射電子。放電氣體的亞穩(wěn)態(tài)能量、光子能量、以及壁電荷的電場供次級(jí)電子發(fā)射需要的能量，又提供放電氣體的電離能量。

由于MgO的導(dǎo)帶與價(jià)帶之間的禁帶寬度較寬，使得MgO的二次電子發(fā)射系數(shù)較低，導(dǎo)致PDP顯示屏的放電電壓較高，發(fā)光效率較低，這種情況增大了PDP顯示屏的能耗，也對(duì)PDP顯示屏的亮度造成了限制。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明旨在提供一種用于PDP的介質(zhì)保護(hù)層材料，介質(zhì)保護(hù)層及其制備方法，該介質(zhì)保護(hù)層比傳統(tǒng)的純MgO晶體結(jié)構(gòu)具有更高的二次電子發(fā)射系數(shù)，從而降低PDP屏的放電電壓，提高PDP屏的發(fā)光效率。

本發(fā)明提供的用于PDP的介質(zhì)保護(hù)層材料，以MgO為主晶相，并且包括CaO、BeO、SrO、BaO、CeO₂中的一種或幾種作為摻雜金屬氧化物。

進(jìn)一步地，上述摻雜金屬氧化物的質(zhì)量百分含量為5wt％～30wt％。

進(jìn)一步地，以CaO作為第一摻雜物，以BeO作為第二摻雜物，第二摻雜物與第一摻雜物的質(zhì)量比在0.1～1之間。

進(jìn)一步地，以SrO作為第一摻雜物，以BeO和CaO中的一種或兩種作為第二摻雜物，第二摻雜物與第一摻雜物的質(zhì)量比在0.1～1之間。

進(jìn)一步地，以BaO作為第一摻雜物，以BeO和CaO中的一種或兩種作為第二摻雜物，第二摻雜物與第一摻雜物的質(zhì)量比在0.1～1之間。

進(jìn)一步地，以CeO₂作為第一摻雜物，以BeO和CaO中的一種或兩種作為第二摻雜物，第二摻雜物與第一摻雜物的質(zhì)量比在0.1～1之間。

進(jìn)一步地，上述MgO主晶相為單晶MgO或多晶MgO。

根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種用于PDP的介質(zhì)保護(hù)層的制備方法，包括：1)準(zhǔn)備MgO沉積源；2)將所述MgO沉積源通過真空沉積法形成介質(zhì)保護(hù)層。

進(jìn)一步地，上述準(zhǔn)備MgO沉積源的步驟包括：1)將MgO與上述摻雜金屬氧化物均勻混合，形成混合物；2)在模具中擠壓混合物以形成顆粒狀材料；3)煅燒顆粒狀材料；4)燒結(jié)顆粒狀材料，生成的摻雜多晶MgO顆粒作為沉積源。

進(jìn)一步地，上述準(zhǔn)備MgO沉積源的步驟包括：1)將MgO與上述摻雜金屬氧化物均勻混合，形成混合物；2)電弧熔融混合物，生成的摻雜MgO單晶作為沉積源。

進(jìn)一步地，上述真空沉積法為電子束蒸發(fā)法、離子電鍍法、濺射法或者化學(xué)氣相沉積法。

根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種用于PDP的介質(zhì)保護(hù)層，由上述介質(zhì)保護(hù)層材料制備而成。

本發(fā)明提供了一種用于PDP的介質(zhì)保護(hù)層材料，介質(zhì)保護(hù)層及其制備方法，該介質(zhì)保護(hù)層材料以MgO為主晶相，并且包括CaO、BeO、SrO、BaO、CeO₂中的一種或幾種作為摻雜金屬氧化物。通過堿土金屬氧化物的摻雜，在MgO主晶相中非固有地引起缺陷能級(jí)，該缺陷能級(jí)能夠捕獲空穴和電子，提高M(jìn)gO主晶相的二次電子發(fā)射系數(shù)，從而實(shí)現(xiàn)了降低PDP屏放電電壓，提高PDP屏發(fā)光效率的技術(shù)效果。

具體實(shí)施方式