[發明專利]嵌入式閃存中晶體管的形成方法

有效

• 申請號: 201110459323.3
• 申請日: 2011-12-31
• 公開（公告）號: CN103187368A
• 公開（公告）日: 2013-07-03
• 發明（設計）人: 馬燕春
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/8247
• 分類號: H01L21/8247;H01L27/115
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種嵌入式閃存中晶體管的形成方法，其特征在于，包括：

提供襯底，所述襯底上具有低壓柵極結構和存儲柵極結構；

形成第一介質層，覆蓋所述襯底、低壓柵極結構和存儲柵極結構，之后在所述存儲柵極結構周圍形成中間側墻；

形成第二介質層，覆蓋所述第一介質層和中間側墻；

干法刻蝕所述第一介質層和第二介質層，在所述低壓柵極結構周圍形成低壓側墻，在所述存儲柵極結構周圍形成存儲側墻；所述低壓側墻包括刻蝕第一介質層形成的內側墻、刻蝕第二介質層形成的外側墻；所述存儲側墻包括所述中間側墻、刻蝕第一介質層形成的內側墻、刻蝕第二介質層形成的外側墻；

去除所述存儲柵極結構的外側墻、中間側墻和低壓柵極結構的外側墻；

對所述襯底進行離子注入，形成所述低壓柵極結構的源極和漏極、所述存儲柵極結構的源極和漏極。

2.如權利要求1所述的嵌入式閃存中晶體管的形成方法，其特征在于，所述襯底上還具有高壓柵極結構，所述高壓柵極結構與所述存儲柵極結構相同；

所述第一介質層也覆蓋所述高壓柵極結構，在所述高壓柵極結構周圍也形成中間側墻；

干法刻蝕所述第一介質層和第二介質層時，在所述高壓柵極結構的周圍形成高壓側墻；所述高壓側墻包括中間側墻、刻蝕第一介質層形成的內側墻、刻蝕第二介質層形成的外側墻；

去除所述存儲側墻的外側墻、中間側墻和低壓側墻的外側墻時，也去除高壓側墻的外側墻和中間側墻；

對所述襯底進行離子注入時，也形成高壓柵極結構的源極和漏極。

3.如權利要求1所述的嵌入式閃存中晶體管的形成方法，其特征在于，所述第一介質層為雙層結構。

4.如權利要求4所述的嵌入式閃存中晶體管的形成方法，其特征在于，所述雙層結構包括：氧化硅層和氮化硅層，所述氮化硅層覆蓋所述氧化硅層。

5.如權利要求1所述的嵌入式閃存中晶體管的形成方法，其特征在于，在所述存儲柵極結構周圍形成中間側墻包括：

在所述第一介質層上形成第三介質層；

干法刻蝕所述第三介質層，在所述低壓柵極結構周圍和存儲柵極結構周圍形成中間側墻；

去除所述低壓柵極結構周圍的中間側墻。

6.如權利要求5所述的嵌入式閃存中晶體管的形成方法，其特征在于，所述去除所述低壓柵極結構周圍的中間側墻包括：

形成光刻膠層，覆蓋所述第一介質層、低壓柵極結構及其周圍的中間側墻、存儲柵極結構及其周圍的中間側墻；

圖形化所述光刻膠層，剩余覆蓋所述存儲柵極結構及其周圍中間側墻的光刻膠層；

以所述圖形化的光刻膠層為掩膜，去除所述低壓柵極結構周圍的中間側墻；

去除所述圖形化的光刻膠層。

7.如權利要求6所述的嵌入式閃存中晶體管的形成方法，其特征在于，去除所述低壓柵極結構周圍的中間側墻的方法為濕法刻蝕。

8.如權利要求6所述的嵌入式閃存中晶體管的形成方法，其特征在于，所述第三介質層為氧化硅層。

9.如權利要求1所述的嵌入式閃存中晶體管的形成方法，其特征在于，所述第二介質層為氧化硅層。

10.如權利要求1所述的嵌入式閃存中晶體管的形成方法，其特征在于，所述低壓柵極結構包括柵極、位于所述柵極和襯底之間的第一柵介質層，所述存儲柵極結構包括第一柵極、位于第一柵極和襯底之間的第二柵介質層、位于所述第一柵極上的隧穿介質層、位于所述隧穿介質層上的第二柵極。

11.如權利要求10所述的嵌入式閃存中晶體管的形成方法，其特征在于，所述第一柵介質層為氧化硅層。

12.如權利要求10所述的嵌入式閃存中晶體管的形成方法，其特征在于，所述第二柵介質層為氧化硅層。

13.如權利要求10所述的嵌入式閃存中晶體管的形成方法，其特征在于，所述隧穿介質層為三層結構，包括兩層氧化硅層和位于兩層氧化硅層之間的氮化硅層。

14.如權利要求10所述的嵌入式閃存中晶體管的形成方法，其特征在于，所述柵極為多晶硅柵極。

15.如權利要求10所述的嵌入式閃存中晶體管的形成方法，其特征在于，所述第二柵極為多晶硅柵極。

16.如權利要求10所述的嵌入式閃存中晶體管的形成方法，其特征在于，所述第一柵極為多晶硅柵極。