[發(fā)明專利]相變存儲(chǔ)器中相變電阻的形成方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110459303.6 | 申請日： | 2011-12-31 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN103187524A | 公開（公告）日： | 2013-07-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 朱南飛;吳關(guān)平 | 申請（專利權(quán)）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L45/00 | 分類號(hào)： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人： | 駱蘇華 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 相變 存儲(chǔ)器 電阻 形成 方法 | ||
1.一種相變存儲(chǔ)器中相變電阻的形成方法，其特征在于，包括：
提供襯底，所述襯底中形成有底部電極，所述底部電極的上表面與所述襯底的上表面相平；
在所述襯底上形成多條平行的第一相變電阻，所述第一相變電阻沿位線方向延伸，所述第一相變電阻位于對應(yīng)的底部電極上；
在相鄰兩條第一相變電阻之間形成具有溝槽的介質(zhì)層，所述溝槽底部暴露出對應(yīng)的底部電極；
在所述溝槽中填充相變材料，形成第二相變電阻，所述第二相變電阻沿位線方向延伸，所述第二相變電阻位于對應(yīng)的底部電極上。
2.如權(quán)利要求1所述的相變存儲(chǔ)器中相變電阻的形成方法，其特征在于，在所述襯底上形成多條平行的第一相變電阻包括：
在所述襯底上形成相變材料層；
對所述相變材料層進(jìn)行圖形化，形成多條平行的第一相變電阻。
3.如權(quán)利要求2所述的相變存儲(chǔ)器中相變電阻的形成方法，其特征在于，對所述相變材料層進(jìn)行圖形化，形成多條平行的第一相變電阻包括：
在所述相變材料層上形成光刻膠層；
對所述光刻膠層進(jìn)行曝光、顯影形成圖形化的光刻膠層，定義出第一相變電阻的位置；
以所述圖形化的光刻膠層為掩膜，刻蝕所述相變材料層形成多條平行的第一相變電阻；
去除所述圖形化的光刻膠層。
4.如權(quán)利要求3所述的相變存儲(chǔ)器中相變電阻的形成方法，其特征在于，在所述相變材料層上形成光刻膠層之前，還包括：
在所述相變材料層上形成第一介質(zhì)層；
在所述第一介質(zhì)層上形成抗反射層；
在所述抗反射層上形成第二介質(zhì)層；
所述光刻膠層位于所述第二介質(zhì)層上，以所述圖形化的光刻膠層為掩膜依次刻蝕所述第一介質(zhì)層、抗反射層和第二介質(zhì)層后刻蝕所述相變材料層。
5.如權(quán)利要求4所述的相變存儲(chǔ)器中相變電阻的形成方法，其特征在于，所述第一介質(zhì)層為常溫氧化硅層或低溫氧化硅層或氮化硅層。
6.如權(quán)利要求4所述的相變存儲(chǔ)器中相變電阻的形成方法，其特征在于，所述第二介質(zhì)層為低溫氧化硅層。
7.如權(quán)利要求1所述的相變存儲(chǔ)器中相變電阻的形成方法，其特征在于，所述在相鄰兩條第一相變電阻之間形成具有溝槽的介質(zhì)層包括：
形成介質(zhì)層，覆蓋所述第一相變電阻和所述襯底；
對所述介質(zhì)層進(jìn)行圖形化，在相鄰兩條第一相變電阻之間形成溝槽。
8.如權(quán)利要求7所述的相變存儲(chǔ)器中相變電阻的形成方法，其特征在于，對所述介質(zhì)層進(jìn)行圖形化包括：
在所述介質(zhì)層上形成光刻膠層；
對所述光刻膠層進(jìn)行曝光、顯影形成圖形化的光刻膠層，定義出溝槽的位置；
以所述圖形化的光刻膠層為掩膜對所述介質(zhì)層進(jìn)行刻蝕；
去除所述圖形化的光刻膠層。
9.如權(quán)利要求1所述的相變存儲(chǔ)器中相變電阻的形成方法，其特征在于，所述介質(zhì)層為常溫氧化硅層或低溫氧化硅層或者氮化硅層。
10.如權(quán)利要求1所述的相變存儲(chǔ)器中相變電阻的形成方法，其特征在于，在所述溝槽中填充相變材料，形成第二相變電阻包括：
形成相變材料，覆蓋所述介質(zhì)層和第一相變電阻并填滿所述溝槽；
利用平坦化工藝去除第一相變電阻上的介質(zhì)層、相變材料以及高出所述溝槽的相變材料，形成第二相變電阻。
11.如權(quán)利要求10所述的相變存儲(chǔ)器中相變電阻的形成方法，其特征在于，所述平坦化工藝為化學(xué)機(jī)械平坦化。
12.如權(quán)利要求1所述的相變存儲(chǔ)器中相變電阻的形成方法，其特征在于，所述底部電極的材料為鎢，鋁，鈦，氮化鈦，氮化鉭。
13.如權(quán)利要求1所述的相變存儲(chǔ)器中相變電阻的形成方法，其特征在于，所述第一相變電阻的材料為硫族化合物合金。
14.如權(quán)利要求1所述的相變存儲(chǔ)器中相變電阻的形成方法，其特征在于，所述第二相變電阻的材料為硫族化合物合金。
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