[發(fā)明專利]半導體封裝及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110459218.X
• 申請日: 2011-12-31
• 公開（公告）號: CN102569208B
• 公開（公告）日: 2017-04-12
• 發(fā)明（設計）人: 崔銀景;鄭世泳;崔光喆;閔臺洪;李忠善;金晶煥
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L21/98
• 分類號: H01L21/98;H01L25/065;H01L23/31;H01L23/367
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所11105
• 代理人: 張波

1.一種制造半導體層疊封裝的方法，該方法包括：

在包括第一半導體芯片的晶片上方提供多個分離的第二半導體芯片；

形成接觸所述第二半導體芯片的所述頂表面的至少一部分的散熱層；以及

其后，從所述晶片分割所述多個第一半導體芯片以形成多個芯片疊層，其中所述多個分離的第二半導體芯片層疊在所述分割后的第一半導體芯片中的相應的第一半導體芯片上。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述散熱層不包含聚合物。

3.根據權利要求1所述的方法，該方法還包括：

利用壓模形成模制層以覆蓋所述第一半導體芯片和所述第二半導體芯片；以及

通過去除所述模制層的至少一部分暴露所述多個第二半導體芯片的頂表面。

4.根據權利要求3所述的方法，其中暴露所述多個第二半導體芯片的頂表面包括同時研磨所述模制層和所述第二半導體芯片。

5.根據權利要求4所述的方法，其中暴露所述半導體芯片的所述頂表面包括暴露所述半導體芯片的實質上整個頂表面。

6.根據權利要求1所述的方法，其中所述散熱層包括第一金屬層以及形成在所述第一金屬層上的第二金屬層。

7.根據權利要求6所述的方法，其中所述第一金屬層包括從Ti、Cr、Ta、Ni、TiW、其組合、或其合金選出的材料，其中所述第二金屬層包括Cu。

8.根據權利要求7所述的方法，其中所述散熱層還包括覆蓋所述第二金屬層的第三金屬層，其中所述第三金屬層包括Ni或Ni/Au。

9.根據權利要求6所述的方法，其中所述第一金屬層形成為跨越所述第二半導體芯片的寬度的實質上連續(xù)的層，其中所述第二金屬層形成為沿所述第二半導體芯片的所述寬度在所述第二金屬層的分段之間具有間隙。

10.根據權利要求6所述的方法，其中所述第二金屬層形成為跨越所述第二半導體芯片的所述寬度的實質上連續(xù)的層，其中所述第二金屬層形成為在覆蓋所述模制層的所述第二金屬層的分段之間具有間隙。

11.根據權利要求1所述的方法，還包括利用插置在其間的粘合層在載體上附接所述多個第一半導體芯片。

12.根據權利要求1所述的方法，其中形成所述散熱層包括利用選自鍍膜、化學氣相沉積、物理氣相沉積、原子層沉積或軟光刻的技術。

13.根據權利要求1所述的方法，其中形成所述散熱層包括形成籽晶層以及在該籽晶層上形成納米管層。

14.根據權利要求1所述的方法，還包括：

利用壓模形成模制層以覆蓋所述第一半導體芯片和所述第二半導體芯片；以及

平坦化所述模制層以及暴露所述多個第二半導體芯片的實質上所述整個頂表面，

其中所述散熱層與所述平坦化模制層的頂表面和側壁接觸。

15.根據權利要求14所述的方法，還包括提供具有穿過其延伸的穿孔的封裝基板，其中所述第一半導體芯片和所述第二半導體芯片設置在所述封裝基板上方，其中所述散熱層與所述封裝基板的頂表面接觸，以及其中所述穿孔耦接到一部分所述散熱層，在所述一部分所述散熱層處所述散熱層與所述封裝基板的所述頂表面接觸。

16.一種制造半導體封裝的方法，所述方法包括：

提供在其中制造有半導體芯片的晶片；

在所述晶片上方形成散熱層，所述散熱層接觸所述半導體芯片的頂表面；以及

其后，從所述晶片分割所述多個半導體芯片。

17.根據權利要求16所述的方法，其中形成所述散熱層而在所述散熱層與所述半導體芯片之間沒有粘合層。

18.根據權利要求17所述的方法，其中所述散熱層由金屬層形成。

19.根據權利要求16所述的方法，其中所述散熱層包括阻擋層以及形成在所述阻擋層上的導電層，導電層通過在阻擋層上形成籽晶層以及形成覆蓋所述籽晶層的金屬層而形成。

20.根據權利要求19所述的方法，其中所述籽晶層包括Cu以及所述金屬層包括Cu。

21.根據權利要求19所述的方法，其中所述籽晶層包括Au以及所述金屬層包括Au。