[發(fā)明專利]高電流取出效率LED

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110458418.3
• 申請日: 2011-12-31
• 公開（公告）號: CN103824922A
• 公開（公告）日: 2014-05-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 魏臻
• 申請（專利權(quán)）人: 聚燦光電科技(蘇州)有限公司
• 主分類號: H01L33/46
• 分類號: H01L33/46
• 代理公司: 蘇州廣正知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32234
• 代理人: 張利強(qiáng)

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及LED芯片制造領(lǐng)域。

背景技術(shù)

現(xiàn)有技術(shù)中LED的構(gòu)造，是在p型GaN上沉積電流阻擋層，然后在電流阻擋層上沉積電流擴(kuò)展層和電極，這種結(jié)構(gòu)會造成從電極下方發(fā)出的光被電極吸收的情況，從而導(dǎo)致現(xiàn)有技術(shù)中的LED?的出光效率不高。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明目的是增加電極下方的光反射能力，從而減少電極對光的吸收，提高出光效率。

為了達(dá)到以上以技術(shù)目的，本發(fā)明的技術(shù)方案為：一種高電流取出效率LED，包括位于底層的基底、沉積于所述的基底上方的金屬薄膜層、覆蓋于所述的金屬薄膜層上的SiO₂層、以及沉積于所述的SiO₂層上方的ITO和金屬電極。

優(yōu)選地，所述的基底為P-GaN層。

優(yōu)選地，在外延片表面沉積反射率大于70%的金屬薄膜，如銀，銅，銠等，然后制作成類似CBL的結(jié)構(gòu)，然后沉積一層SiO2層正好覆蓋在金屬薄膜上，該層SiO2的作用是CBL，接著再沉積ITO和金屬電極。

由于采用上述技術(shù)方案，本發(fā)明利用金屬薄膜的高反射率將射向電極的光大部分反射回LED體內(nèi)，從而通過其他途徑出射到LED體外，提高了出光效率。

附圖說明

附圖1為根據(jù)本發(fā)明的高電流取出效率LED的結(jié)構(gòu)示意圖；

附圖2為根據(jù)本發(fā)明的高電流取出效率LED的制造流程示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的較佳實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)闡述，以使本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征能更易于被本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，從而對本發(fā)明的保護(hù)范圍做出更為清楚明確的界定。

參見附圖1所示，為根據(jù)本發(fā)明的高電流取出效率LED的結(jié)構(gòu)示意圖，它包括位于底層的基底、沉積于所述的基底上方的金屬薄膜層、覆蓋于所述的金屬薄膜層上的SiO₂層、以及沉積于所述的SiO₂層上方的ITO和金屬電極。本實(shí)施例中的基底為P-GaN層，在外延片表面沉積反射率大于70%的金屬薄膜，如銀，銅，銠等，利用金屬薄膜的高反射率將射向電極的光大部分反射回LED體內(nèi)，從而通過其他途徑出射到LED體外，提高了出光效率。

參見附圖2所示，為根據(jù)本發(fā)明的高電流取出效率LED的制造流程示意圖。首先在外延片表面沉積反射率大于70%的金屬薄膜，如銀，銅，銠等制作成類似CBL——CBL=current?blocking?layer主要是為了讓不能出光(或擋光)的地方(PN結(jié))不發(fā)光，或叫提高電流有效注入的結(jié)構(gòu)，然后沉積一層SiO2層正好覆蓋在金屬薄膜上，該層SiO2的作用是CBL，接著再沉積ITO和金屬電極。

以上實(shí)施方式只為說明本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思及特點(diǎn)，其目的在于讓熟悉此項(xiàng)技術(shù)的人了解本發(fā)明的內(nèi)容并加以實(shí)施，并不能以此限制本發(fā)明的保護(hù)范圍，凡根據(jù)本發(fā)明精神實(shí)質(zhì)所做的等效變化或修飾，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。