[發明專利]半導體硅片的去膠工藝腔及去膠方法

有效

• 申請號: 201110458406.0
• 申請日: 2011-12-30
• 公開（公告）號: CN102496592A
• 公開（公告）日: 2012-06-13
• 發明（設計）人: 張晨騁
• 申請（專利權）人: 上海集成電路研發中心有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/02;B08B3/04
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種半導體硅片的去膠工藝腔，其特征在于，所述工藝腔內部的一端具有升降平臺，所述工藝腔內部的另一端固定有一護罩，所述護罩和所述升降平臺可構成封閉式結構，所述升降平臺上方用于固定一硅片，所述護罩內具有等離子體發生裝置，所述工藝腔內部還具有一活動蓋板，所述活動蓋板可置于所述升降平臺的上方，所述活動蓋板能夠遮擋所述硅片，所述活動蓋板上具有一個或多個進口。

2.根據權利要求1所述的半導體硅片的去膠工藝腔，其特征在于，所述等離子體發生裝置包括進氣管路、真空管路、廢氣管路以及線圈，所述線圈圍繞所述護罩內側壁設置，所述進氣管路、真空管路以及廢氣管路穿過所述護罩的側壁設置。

3.根據權利要求1所述的半導體硅片的去膠工藝腔，其特征在于，所述護罩為金屬護罩。

4.根據權利要求1所述的半導體硅片的去膠工藝腔，其特征在于，當所述活動蓋板位于所述硅片上方時，所述活動蓋板與硅片之間具有0.5毫米至3毫米的距離。

5.根據權利要求1所述的半導體硅片的去膠工藝腔，其特征在于，所述進口包括液體進口，所述液體進口連接有液體管路，通過所述液體進口的清洗液的壓力為5至50磅/平方英寸。

6.根據權利要求5所述的半導體硅片的去膠工藝腔，其特征在于，所述活動蓋板還具有一個或多個氣體進口，所述氣體進口連接有氣體管路。

7.根據權利要求1所述的半導體硅片的去膠工藝腔，其特征在于，所述升降平臺上設置有硅片支架用于固定所述硅片。

8.根據權利要求7所述的半導體硅片的去膠工藝腔，其特征在于，所述硅片支架的內部分布有真空管路。

9.根據權利要求1至7中任一項的所述半導體硅片的去膠工藝腔，其特征在于，所述升降平臺的直徑為10英寸至15英寸。

10.根據權利要求1至7中任一項的所述半導體硅片的去膠工藝腔，其特征在于，所述活動蓋板的材質為陶瓷，直徑為10至15英寸，厚度為1至20毫米。

11.根據權利要求1至7中任一項的所述半導體硅片的去膠工藝腔，其特征在于，所述活動蓋板的邊緣向下彎曲，形成導流護罩。

12.一種利用權利要求1所述的半導體硅片的去膠工藝腔的去膠方法，其特征在于，包括：

將硅片固定在工藝腔內的升降平臺上；

上升所述升降平臺使其與工藝腔內的護罩形成封閉式結構；

啟動所述護罩內的等離子體發生裝置，在所述封閉式結構內對所述硅片進行等離子體灰化工藝；

完成所述等離子體灰化工藝后，下降所述升降平臺，將工藝腔內的活動蓋板移動到所述升降平臺的上方；

清洗液通過所述活動蓋板上的進口流到所述硅片上，對所述硅片進行濕法清洗。

13.一種利用權利要求12所述的去膠方法，其特征在于，通過外部機械手臂將所述硅片放置在所述升降平臺上，并通過升降平臺上設置的硅片支架的真空管路將所述硅片固定在工藝腔內的所述升降平臺上。

14.一種利用權利要求12所述的去膠方法，其特征在于，所述等離子體發生裝置包括進氣管路、真空管路、廢氣管路以及線圈，通過所述進氣管路和所述真空管路將所述封閉式結構內的壓力范圍調節到10毫托-2000毫托，向所述封閉式結構內通入氧氣，并向所述線圈輸入頻率至少為13.56兆赫茲的信號，激發氧等離子體對所述硅片進行氧等離子體灰化工藝。

15.一種利用權利要求12所述的去膠方法，其特征在于，所述活動蓋板還具有一個或多個氣體進口，所述氣體進口連接有氣體管路，將異丙醇蒸汽或氮氣通過所述氣體管路噴到所述硅片的表面。

16.一種利用權利要求12所述的去膠方法，其特征在于，下降所述升降平臺，將工藝腔內的活動蓋板移動到所述升降平臺的上方，使所述活動蓋板與所述硅片之間具有0.5毫米至3毫米的距離。