[發明專利]具有改進排布方式的通孔陣列和具有該陣列的半導體器件

有效

• 申請號: 201110458372.5
• 申請日: 2011-12-31
• 公開（公告）號: CN103187390A
• 公開（公告）日: 2013-07-03
• 發明（設計）人: 劉煊杰;丁萬春;魏琰
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L23/522
• 分類號: H01L23/522;H01L23/48
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 金曉

1.一種具有改進的通孔分布的半導體器件，在具有第一晶向的硅晶片中以第二晶向布置所述通孔陣列，所述通孔陣列被布置為以第一方向為行方向和以第二方向為列方向的陣列狀，其特征在于：

改變所述通孔陣列中的至少一部分的排布，使得在保持所述通孔陣列的面積大體上不變的情況下增大該部分中的通孔之間的距離。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，在所述通孔陣列中，相鄰的各行之間具有第一間距，以及相鄰的各列之間具有第二間距。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中在所述部分中通孔被布置為，使得連接相鄰兩列中的相應通孔的直線與所述第一方向所成的角度大于10°小于等于45°。

4.根據權利要求3所述的半導體器件，所述角度為大于等于30°至小于等于45°。

5.根據權利要求3或4所述的半導體器件，其中所述通孔被布置為，使得所述角度對于一列中的各通孔彼此不同。

6.根據權利要求3所述的半導體器件，其中在所述部分中通孔被布置為，通過將相鄰兩列中的相應通孔之間的距離減小到所述通孔之間的初始距離，從而使得相鄰兩列之間的間距小于第二間距。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，在所述部分中通孔被布置為，使得連接相鄰兩行中的相應通孔的直線與所述第二方向所成的角度為大于10°小于等于45°。

8.根據權利要求7中所述的半導體器件，所述角度為大于等于30°至小于等于45°。

9.根據權利要求7或8所述的半導體器件，其中所述通孔被布置為，使得所述角度對于一行中的各通孔彼此不同。

10.根據權利要求7所述的半導體器件，其中所述通孔被布置為，通過將相鄰兩行中的相應通孔之間的距離減小到所述通孔之間的初始距離，從而使得相鄰兩行之間的間距小于第一間距。

11.根據權利要求1-10中任意一項所述的半導體器件，其中所述通孔形成在所述襯底上的電介質層中，所述通孔內壁淀積有阻擋層，并且在通孔中填充有金屬。

12.根據權利要求5所述的半導體器件，所述通孔被布置為，使得連接相鄰兩行中的一行中的各通孔與另一行中的相應通孔的直線與所述第二方向所成的角度為大于0°小于等于45°。

13.根據權利要求5所述的半導體器件，其中所述第一晶向是(001)晶向，所述第二晶向是(110)晶向。

14.根據權利要求3所述的半導體器件，其中所述角度為45°。

15.根據權利要求7所述的半導體器件，其中所述角度為45°。

16.根據權利要求1所述的半導體器件，其中通過將通孔之間增大的距離減小到初始距離，從而使得在所述部分中相鄰各行之間的距離小于第一間距以及相鄰各列之間的距離小于第二間距。

17.根據權利要求2所述的半導體器件，其中第一間距等于第二間距。