[發(fā)明專利]用于轉移石墨舟上半導體晶粒的吸盤裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110457925.5 | 申請日: | 2011-12-31 |
| 公開(公告)號: | CN102543815A | 公開(公告)日: | 2012-07-04 |
| 發(fā)明(設計)人: | 葛永明;韋德富;張洪海;任志龍 | 申請(專利權)人: | 蘇州固锝電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L21/677 |
| 代理公司: | 蘇州創(chuàng)元專利商標事務所有限公司 32103 | 代理人: | 馬明渡 |
| 地址: | 215153 江蘇省蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 轉移 石墨 上半 導體 晶粒 吸盤 裝置 | ||
1.一種用于轉移石墨舟上半導體晶粒的吸盤裝置,所述石墨舟具有放置半導體晶粒(24)的晶粒凹槽(25),所述吸盤裝置包括:內(nèi)設有第一空腔(1)的把手(2)和蓋板(3),此把手(2)一端設有與所述第一空腔(1)連通的氣嘴(4),此把手(2)下表面設有至少一個與所述第一空腔(1)連通的第一通氣孔(5),所述蓋板(3)上設有與所述第一通氣孔(5)相應的第二通氣孔(6),一氣體連接管(7)連通所述第一通氣孔(5)和第二通氣孔(6);其特征在于:一底板(8)安裝于所述蓋板(3)下表面,此底板(8)與蓋板(3)通過側板(9)形成與所述第一空腔(1)連通的第二空腔(10),所述底板(8)上設置有若干個用于吸附所述半導體晶粒的吸嘴(11)和至少兩個漏氣通孔(12);
由上塞體(13)和下塞體(14)組成的活動通孔塞(15)與所述漏氣通孔(12)間隙配合安裝,此上塞體(13)具有上端面部(16)和固定于上端面部(16)下表面中央的上固定柱(17),此上固定柱(17)周邊具有至少兩個相間排列的上導氣筋(18),所述下塞體(14)具有下端面部(19)和固定于下端面部(19)上表面中央的下固定柱(20),此下固定柱(20)周邊具有至少兩個相間排列的下導氣筋(21),所述上塞體(13)位于第二空腔(10)內(nèi)并嵌入所述漏氣通孔(12)內(nèi),所述下塞體(14)從底板(8)下方嵌入所述漏氣通孔(12)內(nèi)且下塞體(14)的下固定柱(20)與上塞體(13)的上固定柱(17)固定連接,所述上導氣筋(18)的寬度大于所述下導氣筋(21)的寬度,所述下端面部(19)和上端面部(16)的直徑大于所述漏氣通孔(12)的直徑,所述活動通孔塞(15)的上端面部(16)和下端面部(19)之間的距離大于漏氣通孔(12)的厚度,從而保證此活動通孔塞(15)可沿漏氣通孔(12)上下行進;當活動通孔塞(15)的下塞體(14)封閉漏氣通孔(12)時,氣流從所述吸嘴(11)流入,當活動通孔塞(15)的上塞體(13)封閉漏氣通孔(12)時,氣流從所述漏氣通孔(12)流入。
2.根據(jù)權利要求1所述的吸盤裝置,其特征在于:所述上導氣筋(18)的數(shù)目為三個,且相互夾角為120°。
3.根據(jù)權利要求1所述的吸盤裝置,其特征在于:所述下導氣筋(21)的數(shù)目為三個,且相互夾角為120°。
4.根據(jù)權利要求1所述的吸盤裝置,其特征在于:所述上導氣筋(18)和下導氣筋(21)位于直線上。
5.根據(jù)權利要求1所述的吸盤裝置,其特征在于:所述底板(8)下表面且位于漏氣通孔(12)周邊具有安裝凸臺(22)。
6.根據(jù)權利要求1所述的吸盤裝置,其特征在于:所述底板(8)下表面還設置有用于與所述石墨舟定位的定位銷(23)。
7.根據(jù)權利要求1所述的吸盤裝置,其特征在于:所述下固定柱(20)與上固定柱(17)之間通過螺紋配合固定。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





