[發(fā)明專(zhuān)利]一種金錫合金薄膜制備工藝

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110457880.1
• 申請(qǐng)日: 2011-12-31
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102560371A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-07-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳國(guó)政;楊丙文;沓世我;王建明;陳明鈞;陳鑒波
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 廣東風(fēng)華高新科技股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): C23C14/18
• 分類(lèi)號(hào): C23C14/18;C23C14/30;C23C14/58
• 代理公司: 廣州粵高專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 44102
• 代理人: 楊利娟

1.一種金錫合金薄膜制備工藝，利用電子束蒸發(fā)鍍膜，在氧化鋁陶瓷基片或氮化鋁陶瓷基片上獲得多層Au和Sn的金屬層，然后通過(guò)共晶熱處理得到了金錫合金薄膜，其特征在于：

所述電子束蒸發(fā)鍍膜過(guò)程中，真空度為1.0E-4?Pa～5.0E-3Pa；轟擊電流為50～200mA；基底溫度為50～250℃；基片轉(zhuǎn)速為15～20r/m；電子束電壓為6kV～8kV；蒸發(fā)金Au電流為200～300mA；蒸發(fā)Sn電流為200～300mA。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金錫合金薄膜制備工藝，其特征在于：所述的Au和Sn的金屬層依次是Au層、Sn層、Au層、Sn層、Au層五層結(jié)構(gòu)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的金錫合金薄膜制備工藝，其特征在于：所述共晶熱處理的溫度是250～330℃，時(shí)間為3～10min。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金錫合金薄膜制備工藝，其特征在于：所述的氧化鋁陶瓷基片或氮化鋁陶瓷基片與金錫合金薄膜之間還設(shè)有過(guò)渡層的選擇為T(mén)i/Mo/Pt/Ag/Cu/Au,所述的Ti/Mo層的厚度為0.05～0.5μm，Pt/Ag的厚度為0.1～0.7μm，Au/Cu的厚度為0.2～0.8μm。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的金錫合金薄膜制備工藝，其特征在于：所述的過(guò)渡層是用電子束蒸發(fā)或電阻蒸發(fā)復(fù)合鍍膜系統(tǒng)進(jìn)行真空鍍膜而得，鍍膜時(shí)，基片旋轉(zhuǎn)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的金錫合金薄膜制備工藝，其特征在于：真空鍍膜過(guò)渡層時(shí)，其真空度是1.0E-4?Pa～5.0E-3Pa；轟擊電流是50～200mA；基底溫度是50～250℃；基片轉(zhuǎn)速是15～20r/m；電子束電壓是6～8kV；蒸發(fā)Ti/Mo電流是200～300mA；蒸發(fā)Pt/Ag電流是200～300mA；蒸發(fā)Au/Cu電流是50～200mA；所使用的坩堝是Cu坩堝、石墨坩堝。

7.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任意一項(xiàng)所述的金錫合金薄膜制備工藝，其特征在于：所述的金錫合金薄膜總厚度是2～8μm。