[發(fā)明專利]改善MIM電容器制作中電弧放電缺陷的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110457616.8
• 申請日: 2011-12-31
• 公開（公告）號: CN103187241A
• 公開（公告）日: 2013-07-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 韓亮;張冠群;李志超;張繼偉
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

1.一種改善MIM電容器制作中電弧放電缺陷的方法，其特征在于，包括：

提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上沉積金屬層間介質(zhì)層；

在所述金屬層間介質(zhì)層中形成光刻標(biāo)記溝槽；

在所述光刻標(biāo)記溝槽中依次沉積光刻標(biāo)記層以及導(dǎo)電層，并使所述光刻標(biāo)記層以及導(dǎo)電層的頂部與所述金屬層間介質(zhì)層頂部齊平；

在所述金屬層間介質(zhì)層、光刻標(biāo)記層以及導(dǎo)電層上方依次沉積下電極層、極間介電質(zhì)層以及上電極層，形成MIM電容器。

2.如權(quán)利要求1所述的改善MIM電容器制作中電弧放電缺陷的方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體襯底為多層互連結(jié)構(gòu)，包含互連層M_x-1。

3.如權(quán)利要求2所述的改善MIM電容器制作中電弧放電缺陷的方法，其特征在于，所述下電極層為M_x互連層結(jié)構(gòu)。

4.如權(quán)利要求3所述的改善MIM電容器制作中電弧放電缺陷的方法，其特征在于，所述M_x互連層結(jié)構(gòu)包括兩層金屬氮化物及其內(nèi)夾的一層金屬銅。

5.如權(quán)利要求1所述的改善MIM電容器制作中電弧放電缺陷的方法，其特征在于，所述光刻標(biāo)記溝槽為Zero?Mark、SPM?mark、OVL?mark或套刻測量標(biāo)記。

6.如權(quán)利要求5所述的改善MIM電容器制作中電弧放電缺陷的方法，其特征在于，所述光刻標(biāo)記層的材料為金屬鎢。

7.如權(quán)利要求5所述的改善MIM電容器制作中電弧放電缺陷的方法，其特征在于，所述光刻標(biāo)記層的最大寬度為0.8μm～1.5μm。

8.如權(quán)利要求5所述的改善MIM電容器制作中電弧放電缺陷的方法，其特征在于，所述導(dǎo)電層的厚度與所述光刻標(biāo)記層最大寬度的一半相比，至少大

9.如權(quán)利要求8所述的改善MIM電容器制作中電弧放電缺陷的方法，其特征在于，所述導(dǎo)電層的厚度為

10.如權(quán)利要求1所述的改善MIM電容器制作中電弧放電缺陷的方法，其特征在于，所述導(dǎo)電層的材料為金屬鎢。

11.如權(quán)利要求1所述的改善MIM電容器制作中電弧放電缺陷的方法，其特征在于，所述上電極層為三層結(jié)構(gòu)，包括：兩層金屬氮化物及其內(nèi)夾的一層金屬鋁或金屬銅。