[發(fā)明專利]MOS器件柵極孔的制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110457512.7
• 申請日: 2011-12-30
• 公開（公告）號: CN102522328A
• 公開（公告）日: 2012-06-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張景超;吳迪;林茂;戚麗娜;劉利峰;趙善麒
• 申請（專利權(quán)）人: 江蘇宏微科技有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28
• 代理公司: 常州市維益專利事務(wù)所 32211
• 代理人: 賈海芬

1.一種MOS器件柵極孔的制作方法，其特征在于：按以下步驟進行，

(1)、第一次氧化：將清潔處理后的硅片放入氧化爐內(nèi)進行第一次氧化處理，形成第一氧化層；

(2)、光刻場環(huán)區(qū)窗口，并在場環(huán)區(qū)注入離子和推結(jié)：在第一氧化層表面涂覆光刻膠，在場環(huán)區(qū)內(nèi)進行光刻、顯影、刻蝕第一氧化層并形成場環(huán)區(qū)窗口，在場環(huán)區(qū)窗口內(nèi)的柵極孔區(qū)域內(nèi)留下一條凸起部分的第一氧化層，或在場環(huán)區(qū)窗口的柵極孔區(qū)域內(nèi)留下間隔設(shè)置的至少兩個以上凸起部分的第一氧化層，在場環(huán)區(qū)窗口進行硼離子注入和推結(jié)，形成P型場環(huán)；

(3)、光刻有源區(qū)窗口：在硅片表面涂覆光刻膠，在有源區(qū)內(nèi)進行光刻、顯影、刻蝕第一氧化層；

(4)、二次氧化：將硅片放入氧化爐內(nèi)進行第二氧化，在硅片表面形成第二氧化層，并保持柵極孔區(qū)域的凸起部分；

(5)、多晶硅淀積、摻雜及淀積第三氧化層：將硅片放入淀積爐內(nèi)，在硅片表面淀積多晶硅層，將硅片放入擴散爐內(nèi)，對多晶硅層進行摻雜形成導(dǎo)電層，在多晶硅表面淀積第三氧化層，并保持柵極孔區(qū)域的凸起部分；

(6)、絕緣介質(zhì)層淀積：在制得P型區(qū)和N+型區(qū)后，將硅片放入淀積爐內(nèi)，在硅片表面淀積絕緣介質(zhì)層，并保持柵極孔區(qū)域的凸起部分；

(7)、涂膠、刻蝕柵極孔：在制得源極孔后，在硅片表面涂覆光刻膠，刻蝕光刻膠并露出柵極孔區(qū)域的凸起部分處的第三氧化層，對露出的第三氧化層進行腐蝕，然后去膠形成柵極孔；

(8)、金屬層淀積及光刻刻蝕：對硅片濺射或蒸發(fā)金屬層，并光刻金屬層形成柵極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MOS器件柵極孔的制作方法，其特征在于：所述柵極孔區(qū)域的凸起部分的第一氧化層的高度在0.5μm～3μm，寬度為0.5～1μm、長度在1～15000μm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MOS器件柵極孔的制作方法，其特征在于：所述柵極孔區(qū)域的凸起部分的絕緣介質(zhì)層上的光刻膠厚度在0～1μm。